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記者從中國南車(chē)株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT（中文名為‘絕緣柵雙極型晶體管’）芯片及其模塊研究開(kāi)發(fā)” 項目鑒定會(huì )上獲悉，由該公司研制的國內唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，打破了此前也是由該公司自主研制的3300伏高端IGBT芯片電壓等級和功率密度的記錄，項目成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平，代表我國功率半導體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。 此次鑒定會(huì )也同時(shí)展示了中國南車(chē)株洲所“IGBT家族”的“超強陣容”，比如1500安/3300伏、1200安/4500伏、750安/6500伏等不同規格的IGBT芯片及模塊產(chǎn)品，均代表行業(yè)最高水水平，顯示了該公司在IGBT器件成套技術(shù)特別是難度極高的高壓高功率密度IGBT器件技術(shù)上的超強實(shí)力。 鑒定會(huì )的專(zhuān)家，也聚集了我國電力電子行業(yè)的知名專(zhuān)家，來(lái)自中國科學(xué)院、中國工程院的四位院士以及來(lái)自中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等高等院所的權威專(zhuān)家一致認為：中國南車(chē)株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動(dòng)態(tài)性能好等諸多優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)歷了嚴苛的性能測試和試驗考核，而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項目的實(shí)際應用業(yè)績(jì)，其成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平、填補了國內行業(yè)空白，實(shí)現了我國在高端IGBT技術(shù)領(lǐng)域與國際先進(jìn)水平接軌，具有重大戰略意義。 近年來(lái)，隨著(zhù)IGBT芯片設計與工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，模塊封裝理念及材料的不斷革新以及市場(chǎng)強大的需求， 3300伏電壓等級及以上的高壓IGBT正在向更高功率密度、更高工作頻率、更高工作溫度和更高可靠性方向發(fā)展，引領(lǐng)著(zhù)當前IGBT技術(shù)的可持續發(fā)展。 高壓高功率密度的IGBT應用領(lǐng)域從傳統的電力、機械、礦冶到4C產(chǎn)業(yè)，擴大到軌道交通、柔性直流輸電、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰略性新興產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)國家節能減排、傳統產(chǎn)業(yè)轉型升級、裝備制造水平提升、國防現代化與科技化以及民眾生活質(zhì)量等方面具有重大的戰略?xún)r(jià)值和經(jīng)濟價(jià)值，是現代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。 目前，中國已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費市場(chǎng)，以高速動(dòng)車(chē)組、大功率機車(chē)、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國內變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過(guò)50億元，而且每年以15%以上速度增長(cháng)。隨著(zhù)國家產(chǎn)業(yè)結構轉型和升級，以及戰略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高壓高功率密度IGBT將具有非常廣闊的應用空間。 此前，高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國外少數幾家企業(yè)壟斷，國內還是一片空白，使得我國戰略性新興產(chǎn)業(yè)和影響國民經(jīng)濟命脈的關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展在很大程度上受制于人。 從2011年開(kāi)始，中國南車(chē)株洲所通過(guò)全球性的戰略布局，吸納國際優(yōu)勢研發(fā)資源，對該項高端技術(shù)進(jìn)行自主攻關(guān)，終于在去年12月份開(kāi)發(fā)出國內首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片，并在此基礎上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術(shù)的完整產(chǎn)品型譜。 此次項目負責人，該公司IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友向記者介紹，中國南車(chē)株洲所在IGBT項目上總投資超過(guò)20億元，目前該公司有近百位來(lái)自全球的頂尖專(zhuān)家從事IGBT器件芯片及模塊技術(shù)的研發(fā)，在IBGT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統應用上攻克了30多項難題，掌握該器件的成套技術(shù)，并在IGBT的規�；�、專(zhuān)業(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國內軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領(lǐng)域得到批量應用，項目已申報專(zhuān)利20項，獲得授權發(fā)明專(zhuān)利2項，實(shí)用新型專(zhuān)利2項。 據了解，目前，在國內有數家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè)，具備了低端芯片（1200伏到1700伏電壓等級）研發(fā)及模塊封裝能力，在高壓IGBT模塊封裝技術(shù)上，也只有包括中國南車(chē)株洲所在內的少數企業(yè)掌握了該項技術(shù)，而在關(guān)鍵的高壓IGBT芯片技術(shù)及后期系統運用上，中國南車(chē)株洲所成為國內唯一一家全面掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測試和系統應用的企業(yè)。 中國南車(chē)株洲所作為我國電力電子器件原始創(chuàng )新能力的主要企業(yè)之一，從最早的軌道交通用晶閘管、GTO的研制，到新世紀開(kāi)始在IGBT、IGCT等高端功率半導體器件技術(shù)的發(fā)力，走過(guò)了漫長(cháng)的一段路程�！笆晃濉币詠�(lái)，在國家發(fā)改委、工信部、科技部及地方各級政府的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項政策支持和國內軌道交通等市場(chǎng)的推動(dòng)下，該公司IGBT等功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，2008年，成功并購知名半導體公司丹尼克斯公司，吸納全球IGBT技術(shù)及研發(fā)資源，2009年在國內率先建成第一條IGBT模塊封裝線(xiàn)，目前該項已向國內各類(lèi)市場(chǎng)銷(xiāo)售IGBT產(chǎn)品超過(guò)6萬(wàn)只。2010年，該公司抓們在海外成立功率半導體研發(fā)中心，從事高壓IGBT芯片技術(shù)研究和新一代IGBT器件開(kāi)發(fā)，2011年啟動(dòng)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線(xiàn)，目前也已建成試運行。屆時(shí)，中國南車(chē)株洲所成為世界上僅有的幾家在掌握功率半導體產(chǎn)品成套技術(shù)、規�；a(chǎn)能力以及市場(chǎng)應用的企業(yè)。 |
| 祝賀！希望新一年會(huì )更進(jìn)一步，取得更大市場(chǎng)份額。 |
| 我很滿(mǎn)意。加強產(chǎn)品可靠性方面的試驗力度。 |
| 很好 |
| 到底是芯片還是模塊？ |
