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全新nvSRAM系列包括業(yè)界最快的高容量NVRAM以及全球首款支持直接連接到NAND總線(xiàn)控制器的NVRAM 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），包括具有異步并行和異步開(kāi)放式NAND閃存接口（ONFI）標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產(chǎn)品線(xiàn)，以滿(mǎn)足高端可編程邏輯控制器（PLC）、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò )設備、航空電子系統以及電子游戲機等關(guān)鍵任務(wù)應用的需求。 
16 Mb nvSRAM是市場(chǎng)上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時(shí)間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC），以便在重要數據日志中標記時(shí)間。賽普拉斯的nvSRAM具有無(wú)限次讀、寫(xiě)和恢復的特點(diǎn)，在85˚C的溫度下數據可保存20年，65˚C下則可以保存150年。賽普拉斯的nvSRAM對于需要連續高速讀寫(xiě)數據和絕對非易失性數據安全的應用來(lái)說(shuō)，是非常理想的選擇。欲了解更多關(guān)于賽普拉斯nvSRAM產(chǎn)品系列的信息，請訪(fǎng)問(wèn)如下網(wǎng)址：www.cypress.com/nonvolatile 賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監Rainer Hoehler說(shuō)：“關(guān)鍵任務(wù)系統需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數據的高性能存儲器。賽普拉斯的16 Mb nvSRAM能夠實(shí)現絕對的數據安全，并且是業(yè)界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶(hù)也可以享受到我們nvSRAM無(wú)與倫比的性能�！� 供貨情況 16 Mb nvSRAM目前可以提供樣片，預計于2014年第三季度量產(chǎn)。ONFI 1.0器件的供電電壓為3V，IO電壓為1.8V，數據總線(xiàn)寬度為8比特和16比特，封裝方式為165-ball FBGA。異步并行器件可選擇帶或不帶RTC，數據總線(xiàn)寬度為8、6、132比特，供電電壓為3V、5V，以及1.8V IO電壓的3V供電。其封裝方式為44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。點(diǎn)擊如下鏈接了解更多關(guān)于16 Mb nvSRAM的信息：www.cypress.com/16MbnvSRAM |
