英飛凌擴展其逆導軟開(kāi)關(guān)IGBT 產(chǎn)品組合,新增 650V RC-H5器件

發(fā)布時(shí)間:2014-5-19 15:05    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: IGBT , 650V , 逆導 , 軟開(kāi)關(guān)
新器件可降低高達 30% 的開(kāi)關(guān)損耗,使系統更加節能高效

英飛凌科技股份公司全新推出一款單片集成逆導二極管的 650V器件,再次擴展其最新一代逆導軟開(kāi)關(guān)IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產(chǎn)品線(xiàn)。英飛凌的RC-H5 系列產(chǎn)品性能卓越,而新推出的這款器件更將顯著(zhù)擴大RC-H5系列產(chǎn)品的應用范圍。全新的分立式RC-H5 650V電源半導體是多爐盤(pán)電磁爐和帶逆變器微波爐的絕佳之選,也是各類(lèi)硬開(kāi)關(guān)半橋配置拓撲結構的最佳選擇。



新推出的分立式RC-H5 650V電源半導體與所有的RC-H5產(chǎn)品一樣,比前一代產(chǎn)品更加高效節能,可進(jìn)一步降低30%的開(kāi)關(guān)損耗,使設計人員將能夠使用的IGBT工作頻率提高到40KHz?偠灾,這款全新設計的分立式電源半導體節能性能更出色,可使系統整體減少5%的能源消耗。

基于RC-H5 650V的系統不僅節能性能出色,而且由于阻斷電壓增大,使系統設計更具優(yōu)勢,從而大幅提升系統可靠性。650V逆導系列器件品質(zhì)非凡,既有適合快速開(kāi)關(guān)應用的器件,又有符合軟開(kāi)關(guān)設計的器件,不僅在使用上更具靈活性,還能減少系統整體受到的限制。這款新器件具有更好的EMI特性,所需濾波電路更少,對各類(lèi)的開(kāi)關(guān)設計都有極大的好處。它還可優(yōu)化熱性能,在175°C的最高結溫(芯片正常工作的環(huán)境溫度)下進(jìn)行無(wú)故障操作。

英飛凌科技股份有限公司IGBT分立器件營(yíng)銷(xiāo)總監Roland Stele指出:“在所有家用電器中,電磁爐具有極大潛力,可為人們節省更多能源消耗,為保護地球環(huán)境做出貢獻。憑借新推出的分立式RC-H5 650V器件,英飛凌將為家用電器提供更豐富的產(chǎn)品,促使我們的客戶(hù)研發(fā)出更可靠更節能的系統!

產(chǎn)品組合及可用性
RC-H5器件現有20A、40A、50A三種電流級別可供選擇。將于2014年6月提供樣品,屆時(shí)產(chǎn)品將開(kāi)始量產(chǎn)。RC-H5系列產(chǎn)品與EiceDRIVER™ 1EDL、2EDL驅動(dòng)芯片結合使用,與XMC 1000/4000系列微控制器結合使用可達到最佳效果。更多有關(guān)英飛凌RC-H5電源半導體的信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/rch5。


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