|
意法半導體不斷擴大高可靠性產(chǎn)品陣容，新LVDS接口芯片擁有優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性 意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）進(jìn)一步擴大抗輻射產(chǎn)品組合，新推出一系列通過(guò)美國 300krad QML-V認證 的LVDS 驅動(dòng)器、接收器和多工器（multiplexers）。 
意法半導體最新的抗輻射器件的性能優(yōu)于競爭品牌的解決方案，融合經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗的130納米制造技術(shù)與專(zhuān)用芯片架構及布局規則，取得了優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性。該開(kāi)發(fā)項目得到了法國國家太空研究中心(CNES，Centre National d'Etudes Spatiales)和歐洲航天局(ESA，European Space Agency)的資金技術(shù)支持，將用于商用和政府衛星項目。意法半導體的新產(chǎn)品還通過(guò)了QML-V認證，全球航天局和承包商可在航天項目中使用該系列產(chǎn)品。 法國國家太空研究中心環(huán)境與元器件部主管Jean-Louis Venturin表示：“這些高性能元器件是意法半導體、歐洲航天局和法國國家太空研究中心多年合作研發(fā)抗輻射航天元器件的豐碩成果之一，我們迫切希望這些產(chǎn)品進(jìn)入歐洲元器件優(yōu)選目錄�！� 意法半導體航天與高可靠性事業(yè)部經(jīng)理Jean-Francois Vadrot表示： “我們的新LVDS器件配備整套的輻射測試報告和宏模型，包括生命周期終止和輻射終止，為全球航天市場(chǎng)提供最好的解決方案，同時(shí)進(jìn)一步加強了我們的航天產(chǎn)品組合�！� 意法半導體擁有35年的支持全世界政府和商用航天項目的經(jīng)驗，其已安裝的元器件創(chuàng )下了數百萬(wàn)個(gè)小時(shí)的成功飛行記錄。意法半導體正在擴大航天應用和高可靠性認證產(chǎn)品的陣容，包括雙極晶體管和MOSFET、電壓基準芯片、柵驅動(dòng)器、線(xiàn)性IC和功率轉換器。意法半導體在130納米、65納米等節點(diǎn)擁有成熟的制造技術(shù)和設計能力，還擁有世界唯一的同時(shí)通過(guò)歐洲航天局(ESA)和國防后勤局(DLA，Defense Logistics Agency)認證的生產(chǎn)設施。 LVDS系列技術(shù)說(shuō)明 新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驅動(dòng)器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS雙接口收發(fā)器)和 RHFLVDS228A交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在重離子和電離總劑量很大的輻照測試中，所有器件都有極強的穩健性表現，LVDS31A/32A在高達135 MeV.cm²/mg時(shí)未見(jiàn)單一事件閉鎖效應，并取得業(yè)內最高的單一事件瞬變抵抗能力。在電離總劑量高達300krad(MIL-STD-883 TM1019)時(shí)，該系列產(chǎn)品的動(dòng)靜態(tài)特性無(wú)太大變化。 此外，該系列產(chǎn)品輸入共模電壓范圍寬達-4V到 +5V，包括連接電壓較低的電源的情況，例如3.3V。寬壓可提高系統地電位公差，簡(jiǎn)化接地設計。 與市面上同類(lèi)器件相比，意法半導體的新LVDS器件縮短了傳播時(shí)間和通道間延遲差，因此通道間同步更快，芯片功耗更低，可支持更高的數據傳輸速率。此外，電源電壓的最大絕對額定值(AMR)高達4.8V，確保器件符合太空局元器件降額設計規則，無(wú)需任何免責聲明。LVDS I/O引腳提供8kV (HBM) ESD保護功能，所有引腳都有冷備用緩沖器和失效保護功能。 如需了解更多詳情，請瀏覽 www.st.com/radhard-lvds-pr |
