差分晶振-LVPECL到LVDS的連接

發(fā)布時(shí)間:2025-3-12 16:20    發(fā)布者:yxcyangxing
關(guān)鍵詞: 差分晶振 , LVDS , LVPECL , 晶體振蕩器
隨著(zhù)通訊速度的提升,出現了很多差分傳輸接口,以提升性能,降低電源功耗和成本。早期的技術(shù),諸如emitter-coupled logic(ECL),使用不變的負電源供電,在當時(shí)用以提升噪聲抑制。隨著(zhù)正電壓供電技術(shù)發(fā)展,諸如TTL和CMOS技術(shù),原先的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)開(kāi)始消失,因為他們需要一些-5.2V或-4.5V的電平。
在這種背景下,ECL轉變?yōu)閜ositive/pseduo emitter-coupled logic (PECL),簡(jiǎn)化了板級布線(xiàn),摒棄了負電平供電。PECL要求提供800mV的電壓擺幅,并且使用5V對地的電壓。LVPECL類(lèi)似于PECL也就是3.3V供電,其在電源功耗上有著(zhù)優(yōu)點(diǎn)。
當越來(lái)越多的設計采用以CMOS為基礎的技術(shù),新的高速驅動(dòng)電路開(kāi)始不斷涌現,諸如current mode logic(CML),votage mode logic(VML),low-voltage differential signaling(LVDS)。這些不同的接口要求不同的電壓擺幅,在一個(gè)系統中他們之間的連接也需要不同的電路。
Ø 轉換原因‌
1、‌電平特性差異
a)LVPECL電平的差分擺幅較大(典型值約800mV),共模電壓較高(約1.3V-1.9V),需外部端接電阻匹配;而LVDS差分擺幅較。350mV),共模電壓較低(約1.2V),且LVDS接收端內置端接電阻‌。
b)直接連接可能導致LVDS接收端共模電壓超出范圍或信號幅度不足‌。
2、應用場(chǎng)景需求
a)LVPECL常用于高速時(shí)鐘或數據傳輸場(chǎng)景(如FPGA輸出),而LVDS因低功耗特性更適合長(cháng)距離或低功耗設計‌‌。
b)不同器件間接口不兼容時(shí)需電平轉換(如FPGA輸出LVPECL,但接收端僅支持LVDS)‌
Ø 轉換方式
1、直流耦合
LVPECL到LVDS 的直流耦合結構需要一個(gè)電阻網(wǎng)絡(luò ),如圖1中所示,設計該網(wǎng)絡(luò )時(shí)有這樣幾點(diǎn)必須考慮:首先,我們知道當負載是50Ω接到Vcc-2V 時(shí),LVPECL 的輸出性能是最優(yōu)的,因此我們考慮該電阻網(wǎng)絡(luò )應該與最優(yōu)負載等效;然后我們還要考慮該電阻網(wǎng)絡(luò )引入的衰減不應太大,LVPECL 輸出信號經(jīng)衰減后仍能落在LVDS 的有效輸入范圍內。注意LVDS 的輸入差分阻抗為100Ω,或者每個(gè)單端到虛擬地為50Ω,該阻抗不提供直流通路,這里意味著(zhù)LVDS輸入交流阻抗與直流阻抗不等.經(jīng)計算,電阻值為:R1=182Ω,R2=48Ω,R3=48Ω。電阻靠近接收側放置。
(a)等效電路 (b)LVPECL到LVDS的連接
圖1.1 LVPECL到LVDS的直流耦合結構

2、交流耦合
LVPECL 到LVDS 的交流耦合結構如圖2 所示,LVPECL 的輸出端到地需加直流偏置電阻(142Ω到200Ω),同時(shí)信號通道上一定要串接50Ω電阻,以提供一定衰減。LVDS 的輸入端到地需加5KΩ電阻,以提供近似0.86V 的共模電壓。
   
圖1.2LVPECL到LVDS的交流耦合結構

在信號轉換方面,LVPECL到LVDS的轉換則需要考慮衰減電阻和交流耦合電容的放置,以及LVDS接收器的重新偏置。相反,LVDS到LVPECL的轉換也需要適當的電路設計和元件選擇。
LVDS和LVPECL各有其特點(diǎn)和應用場(chǎng)景。LVDS適用于板內信號傳輸和高速變化信號的傳輸,而LVPECL則適用于背板傳輸和長(cháng)線(xiàn)纜傳輸等需要強驅動(dòng)能力和高傳輸速度的應用。不過(guò),雖然LVPECL到LVDS的轉換可以通過(guò)電路的設計可以實(shí)現,這邊建議客戶(hù)盡量選用相同類(lèi)型波形的差分傳輸接口,畢竟電路轉換會(huì )有很多其他不確定的影響。
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