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三星電子今日表示，已開(kāi)始量產(chǎn)基于10納米級MLC NAND閃存的全新高性能SAS固態(tài)硬盤(pán)。 三星電子存儲芯片市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)部負責人白智淏常務(wù)表示：“隨著(zhù)SAS固態(tài)硬盤(pán)的推出，我們在企業(yè)級存儲固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)上的競爭力得到了大幅提升。今后，我們致力于為存儲客戶(hù)提供多種多樣的新一代大容量固態(tài)硬盤(pán)，推動(dòng)高速增長(cháng)的企業(yè)級存儲固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)進(jìn)一步發(fā)展�！� 為滿(mǎn)足全球眾多客戶(hù)對高性?xún)r(jià)比，大容量固態(tài)硬盤(pán)的熱切需求，三星電子針對企業(yè)級用戶(hù)，推出了全新的SAS固態(tài)硬盤(pán)SM1623，使其企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋了包括NVMe，PCIe，SATA以及SAS在內的所有主要接口標準。 在2012年推出SAS固態(tài)硬盤(pán)SM1625系列產(chǎn)品之后，此次發(fā)布的SM1623容量為800GB。與20納米級的SM1625相比，10納米級的SM1623不僅在性能上達到了同樣的水平，生產(chǎn)效率更提升了30%以上。此外，SM1623還支持一次以上的DWPD(每日整盤(pán)寫(xiě)入次數)，適合追求高耐用性，高性能和優(yōu)化總成本（TCO）的企業(yè)級存儲客戶(hù)使用。SM1623的隨機讀寫(xiě)速度最高分別可達120，000 IOPS 和26，000IOPS，而連續讀寫(xiě)速度則分別最高為950MB/s和520MB/s。 今后，三星電子計劃繼續推出新一代SAS固態(tài)硬盤(pán)，以進(jìn)一步充實(shí)SAS固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)，并大幅度提升其在企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的影響力。 欲知更多詳情，敬請登陸三星綠色存儲官網(wǎng)www.samsung.com/GreenMemory |
