三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)業(yè)內首款基于3D TSV（through silicon via, 硅通孔）封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內存。該款高密度高性能的內存模塊不僅能推動(dòng)企業(yè)級服務(wù)器和云計算環(huán)境下應用程序的不斷發(fā)展，也會(huì )在數據中心解決方案的進(jìn)一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。
新推出的RDIMM內存由36個(gè)DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。
三星電子存儲芯片事業(yè)部?jì)却媸袌?chǎng)營(yíng)銷(xiāo)負責人白智淏副總裁表示：“通過(guò)推出采用3D TSV技術(shù)的尖端解決方案，三星力求加強在DRAM市場(chǎng)的競爭優(yōu)勢，并進(jìn)而推動(dòng)全球DRAM市場(chǎng)的增長(cháng)。預計今年下半年下一代CPU即將問(wèn)世，而DDR4市場(chǎng)規模也有望隨之顯著(zhù)擴大。此次推出的采用3D TSV封裝技術(shù)的高效節能型DDR4內存模塊，正是三星領(lǐng)先主流DDR4市場(chǎng)的又一新作�！� 繼去年首次量產(chǎn)3D V-NAND閃存之后，三星此次量產(chǎn)3D TSV內存模塊標志著(zhù)存儲技術(shù)史上的一個(gè)新的里程碑。如果說(shuō)3D V-NAND技術(shù)實(shí)現了單顆裸片上各個(gè)存儲單元如高樓般的垂直堆疊結構，那么創(chuàng )新性的3D TSV封裝技術(shù)則實(shí)現了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。通過(guò)此次推出全新的TSV內存模塊，三星更加穩固了其在“3D內存時(shí)代”的科技領(lǐng)先地位。 為了成功制造一個(gè)3D TSV DDR4 DRAM封裝，需要將DDR4裸片研磨至厚度僅為數十微米，并打出數百個(gè)通孔。有源電路直接穿過(guò)這些通孔，而裸片之間則通過(guò)有源電路實(shí)現垂直互連。因此，與引線(xiàn)鍵合封裝技術(shù)相比，采用TSV封裝技術(shù)的64GB內存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。 今后，三星有望采用3D TSV技術(shù)將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內存模塊。鑒于服務(wù)器市場(chǎng)正加速從DDR3向DDR4過(guò)渡，預計此舉將加快高端內存市場(chǎng)的擴大。 自2010年和2011年分別成功研發(fā)出基于3D TSV技術(shù)的40納米級8GB DRAM RDIMM和30納米級32GB DRAM RDIMM以來(lái)，三星一直在不斷改善3D TSV技術(shù)。今年，三星專(zhuān)為T(mén)SV封裝開(kāi)始運行了一套新的制造系統，用來(lái)量產(chǎn)新型服務(wù)器用內存模塊。 據Gartner的研究報告，全球DRAM市場(chǎng)規模預計將于年內在金額上達到386億美元，在容量上達到298億Gb。其中服務(wù)器市場(chǎng)將約有67億Gb，約占今年整個(gè)DRAM生產(chǎn)規模的20%以上。 |
