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據《首爾經(jīng)濟日報》報道，三星電子近日宣布啟動(dòng)“夢(mèng)想制程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片研發(fā)，預計2029年后實(shí)現量產(chǎn)，旨在通過(guò)顛覆性技術(shù)突破追趕臺積電（TSMC）。 三星電子正在為下一代半導體技術(shù)發(fā)起總攻，這標志著(zhù)韓國巨頭正在向比2nm更先進(jìn)的制程技術(shù)邁進(jìn)。盡管當前在3nm、2nm節點(diǎn)落后于臺積電，但三星計劃通過(guò)顛覆性技術(shù)路線(xiàn)在2029年后實(shí)現1nm工藝量產(chǎn)，目標直指AI芯片市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(cháng)需求。 一、打破設計框架：1納米節點(diǎn)的技術(shù)革新 1nm節點(diǎn)需要徹底突破現有芯片設計框架，涉及高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）等下一代設備的全面導入。 三星內部已將部分參與2nm研發(fā)的工程師調任至1nm項目組，顯示出對該項目的戰略重視。 目前三星公開(kāi)的最新制程路線(xiàn)圖顯示，2027年計劃量產(chǎn)的1.4nm工藝仍是其最先進(jìn)節點(diǎn)，而臺積電已于去年宣布將在2026年下半年啟動(dòng)1.6nm工藝量產(chǎn)，技術(shù)代差仍客觀(guān)存在。 二、制程良率差距拉大，三星加速技術(shù)突圍 三星在3nm和2nm工藝上與臺積電存在技術(shù)差距，臺積電的2nm工藝良率已經(jīng)超過(guò)60%，而三星的良率相對較低。 三星電子副會(huì )長(cháng)李在镕上月特別強調“繼承技術(shù)優(yōu)先傳統”，要求管理層“用世界不存在的技術(shù)創(chuàng )造未來(lái)”。 這一表態(tài)被解讀為對制程競賽受挫的危機應對，也是推動(dòng)1nm提前研發(fā)的直接動(dòng)因。 此外，三星還在加大研發(fā)投入，計劃引入高數值孔徑EUV光刻設備，以期在1nm制程上實(shí)現技術(shù)突破，從而在未來(lái)的AI芯片市場(chǎng)中重新確立領(lǐng)先地位。 三、AI芯片技術(shù)競賽下技術(shù)代差成新籌碼 隨著(zhù)AI訓練算力需求每6個(gè)月翻倍，芯片制程的突破成為決定性因素。 臺積電通過(guò)新增1.6nm節點(diǎn)搶占過(guò)渡期市場(chǎng)，而三星選擇直接跨越至1nm，試圖通過(guò)技術(shù)代差實(shí)現彎道超車(chē)。 三星代工事業(yè)部新任社長(cháng)韓進(jìn)滿(mǎn)近期密集拜訪(fǎng)DeepX等本土AI芯片初創(chuàng )企業(yè)，顯示其正加速構建產(chǎn)業(yè)協(xié)同。 結語(yǔ)：制程革命能否重塑競爭格局？ 從當前3nm節點(diǎn)的良率差距，到2nm節點(diǎn)可能擴大的技術(shù)代差，三星的1nm戰略既是技術(shù)追趕，也是路徑重塑。 高數值孔徑EUV設備的引入將使單片晶圓成本顯著(zhù)增加，這種“燒錢(qián)式”技術(shù)競賽可能重塑全球代工市場(chǎng)格局。 對于A(yíng)I芯片開(kāi)發(fā)商而言，制程節點(diǎn)的突破不僅是性能提升，更是決定未來(lái)算力生態(tài)的關(guān)鍵變量。 當臺積電在2026年啟動(dòng)1.6nm量產(chǎn)時(shí)，三星能否在2029年用1nm工藝扭轉戰局，這場(chǎng)技術(shù)賽跑的勝負或將在未來(lái)三年見(jiàn)分曉。 來(lái)源：首爾經(jīng)濟日報、Samsung Newsroom |
