蘋(píng)果與三星展開(kāi)20nm技術(shù)競賽

發(fā)布時(shí)間:2014-9-17 11:40    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 蘋(píng)果 , 三星 , 20nm
隨著(zhù)三星(Samsung)在上個(gè)月發(fā)布 Exynos 5430 雙4 核心處理器,該公司可望成為出貨 20nm 智慧型手機SoC的首家供應商。不過(guò),蘋(píng)果(Apple)最近剛發(fā)布了 iPhone 6 與 iPhone 6 Plus 手機,所搭載的自家 A8 處理器晶片一樣采用了 20nm制程,而且新系列手機即將在9月19日開(kāi)賣(mài)。而最先搭載 Exynos 5430 SoC的三星 Galaxy Alpha 智慧型手機也預計在九月上市。如今,究竟哪一款手機會(huì )先上市并不重要,有趣的是兩家公司以全然不同的模式導入20nm新制程。

三星利用20nm制程來(lái)縮減功耗以及延長(cháng)電池壽命,某種程度上是為了彌補 Alpha 手機由于支援 LTE-Advanced 數據晶片所需的額外功耗。以英特爾(Intel)的“Tick-Tock”制程架構模式來(lái)看, 5430 就像“Tick”一樣僅微縮晶片尺寸而無(wú)顯著(zhù)的架構變化。

5430 的設計并未偏離三星先前采用28nm的元件,如 Exynos5420 和 5422。這幾款元件都提供了結合4個(gè) ARM Cortex-A15 和4個(gè) Cortex-A7 CPU的big.Little架構以及類(lèi)似的GPU。除了新的音訊處理元件與 HEVC (H.265)解碼器以外, 5430 幾乎就沒(méi)有什么新特色了。然而,三星為這款元件的努力主要著(zhù)重在降低功耗,而非明顯增加更多邏輯元件。

相形之下,蘋(píng)果 A8 就顯得更加雄心勃勃。雖然我們還未看到晶片拆解(iPhone 6要到周五才上市),但蘋(píng)果公司表示,這款晶片內含20億顆電晶體——比A7的電晶體數整整多了一倍。雖然電晶體數量加倍,但A8晶片面積還比A7更縮小了17%。A7的晶片尺寸為102mm2,而 比A7更小13%的A8晶片面積應該就是89mm2。

從28nm微縮到20nm制程,明顯降低了電晶體的尺寸,但A8內含比A7更多兩倍的電晶體數量,使其晶片尺寸應該會(huì )變得接近于A(yíng)7。不過(guò),蘋(píng)果很可能是改善了64位元Cyclone CPU核心的封裝方式,以及更多的電晶體可能內建更多快取記憶體,從而使其儲存密度較CPU與GPU所用的邏輯晶片更高。

蘋(píng)果致力于透過(guò)這額外的10億顆電晶體來(lái)提高約25%的CPU性能,以及加速GPU性能達50%。同時(shí),蘋(píng)果并聲稱(chēng)該元件更省電使其得以維持性能,而其它處理器則可能由于熱而抑制了性能。

蘋(píng)果宣稱(chēng),iPhone 6的電池壽命約相當于采用 A7 的 iPhone 5S或甚至更好。更快速的 CPU 性能可能源于更優(yōu)的 CPU 設計、更大的快取以及稍高于峰值時(shí)脈速度的多種性能提升。

GPU 的性能提升幾乎可以確定是來(lái)自于更多50%的GPU叢集。A7采用Imagination PowerVR Rogue GPU以及4個(gè)著(zhù)色器叢集。A8更提升50%的性能則可直接歸因于著(zhù)色器叢集的數量增加了50%。此外,蘋(píng)果也為其A8的影像處理性能進(jìn)行了部份改進(jìn)。

目前可提供20nm晶圓制造的來(lái)源有限。三星表示其20nm生產(chǎn)僅保留給內部使用,而未進(jìn)行代工。因此,蘋(píng)果A8究竟是由三星、臺積電(TSMC)或二者皆有制造,目前還不得而知。雖然蘋(píng)果和三星均為其最新智慧型手機SoC采用20nm制程,但高通的20nm Snapdragon 810 與 808 晶片則得等到2015年上半年才會(huì )出貨。

為了大幅提升新款 iPhone 的產(chǎn)品性能,蘋(píng)果選擇在20nm制程額外使用10億顆電晶體,但三星似乎更專(zhuān)注于降功耗以及縮小晶片尺寸,甚至略過(guò)了采用64位元ARMv8處理器。

由于三星擁有更大的全球產(chǎn)品市場(chǎng),因此可能更關(guān)注于降低成本,以便能與聯(lián)發(fā)科(MediaTek)、高通等公司競爭。蘋(píng)果雖然更積極地提升產(chǎn)品性能與功能,但從前一代產(chǎn)品來(lái)看,兩家公司的20nm SoC都未能在架構上帶來(lái)顯著(zhù)改變或更新。因此,更顯的變化可能必須要等到16nm/14nm FinFET制程節點(diǎn)了。

來(lái)源:eettaiwan

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