淺談EOS機理與防護

發(fā)布時(shí)間:2014-12-15 15:14    發(fā)布者:designapp

        EOS英文全稱(chēng) Electrical Over Stress,是對所有的過(guò)度電性應力的總稱(chēng)。當EOS超過(guò)其最大指定極限后,器件功能會(huì )減弱或損壞,同時(shí)EOS也是公認的IC器件的頭號殺手。由于它可能發(fā)生在產(chǎn)品的研發(fā)、測試乃至生產(chǎn)、存儲、運輸的各個(gè)環(huán)節,所以對廠(chǎng)商的電路設計,測試規范,生產(chǎn)流程以及物流中防護都有嚴格具體的要求,每年耗費整個(gè)半導體行業(yè)數十億美金的資金。更可恨的是,EOS的發(fā)生情況復雜,神出鬼沒(méi),尋求一個(gè)完美的解決方案至今困擾著(zhù)學(xué)術(shù)界和工業(yè)界。此文旨在分析EOS的成因,特點(diǎn),破壞力,以及對于芯片廠(chǎng)商和系統設計人員的啟示。
EOS是一個(gè)非常廣的概念,物理上可以看成是一種較長(cháng)時(shí)間的低電壓,大電流的能量脈沖(通常電壓500V,電流小于10A,納秒發(fā)生時(shí)間),可以認定是EOS的一種特例。


Figure.1 EOS Versus ESD



Table.1 EOS與ESD對比

EOS成因很多,主要會(huì )出現在上下電瞬態(tài)過(guò)程,電流倒灌以及過(guò)度的電壓電流驅動(dòng)(常說(shuō)的過(guò)載)。通常造成的破壞都是由于器件過(guò)熱,損壞有三種類(lèi)型。


Figure.2 PN節擊穿



Figure.3 金屬層熔斷



Figure.4 金屬打線(xiàn)熔斷





       
鑒于EOS的成因和特點(diǎn),成熟的系統廠(chǎng)商通常采用如下的防護方式。建立和規范工作流程,進(jìn)行常規的交流電源線(xiàn)監控。
電源
√ 確保交流電源配備了瞬態(tài)電流抑制器(濾波器
√ 電源過(guò)壓保護
√ 交流電源穩壓器(可選)。
√ 電源時(shí)序控制器,可調整時(shí)序
√ 不共用濾波器和穩壓器
工作流程
√ 將正確流程存檔。
√ 確保針對以下內容進(jìn)行培訓并給出警示標志
電源開(kāi)/關(guān)順序
√ 不可“熱插拔”
√ 正確的插入方向
√ 定期檢查以確保遵守相關(guān)規定
維護
√ 定期進(jìn)行預防性維護。
√ 確保接頭良好緊固,以防止其帶來(lái)間歇性故障。
培訓
√ 確保對所有人員進(jìn)行培訓并及時(shí)復習相關(guān)內容。
電路板或元件測試
√ 確保不進(jìn)行熱切換。進(jìn)行測試時(shí)使用存儲范圍捕獲信號或電源的瞬態(tài)電流。
√ 確保不出現峰值/低頻干擾。
√ 確保正確設置測試參數(不會(huì )過(guò)壓)。
√ 確保測試硬件中使用了正確的保險絲。
帝奧微電子經(jīng)過(guò)總結多年的產(chǎn)品研發(fā),以及客戶(hù)支持的經(jīng)驗,在電路設計上做了很多ESD以及EOS芯片級防護措施創(chuàng )新。特別為國內某著(zhù)名電視機供應商定制研發(fā)的DIO2113—2VRMS輸出語(yǔ)音線(xiàn)驅動(dòng),內部集成有效的EOS防護電路,給對方節省了系統成本的同時(shí)增加了可靠性。


Figure.5 DIO2113 EOS Protection Demonstration





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