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When Good Electrons Go Bad: How to Protect Your Analog Front End 作者：Tony Pirc，ADI公司 本文旨在幫助指導系統設計人員了解不同類(lèi)型的電氣過(guò)載(EOS)及其對系統的影響。雖然本文針對系統中產(chǎn)生的特定類(lèi)型電應力，但是這些信息也適用于各種場(chǎng)景。 這個(gè)問(wèn)題很重要，因為如果不加以適當保護，即使是最好的電路也會(huì )性能下降，或因電氣過(guò)載受損。 何謂EOS？ EOS是一個(gè)通用術(shù)語(yǔ)，表示因為過(guò)多的電子通過(guò)相應路徑試圖進(jìn)入電路，導致系統承受過(guò)大壓力。有一點(diǎn)需要注意，這是一個(gè)隨功率和時(shí)間變化的函數。 如果我們將復雜電路看作一個(gè)簡(jiǎn)單的消耗功率的元件，例如，將它視為一個(gè)電阻。在額定功率為1 W的1 Ω電阻上施加1.1 V電壓，計算功耗的公式如下： 
計算得出，消耗的功率為1.21 W。雖然電阻的額定功率為1 W，但是可能存在一些余量，所以暫時(shí)不用擔心這一點(diǎn)。但并不能夠始終如此。 將電壓增加到2 V，會(huì )出現什么情況？如果功耗達到之前示例的4倍，那么電阻可能會(huì )像一個(gè)空間加熱器在很有限的時(shí)間內提高環(huán)境溫度，但是請記住這個(gè)公式：
如果將電壓增加到10 V，但僅持續10毫秒呢？有趣的地方就在這里：如果不了解部件，以及設計處理部件的目的，您就無(wú)法真正了解會(huì )對該部件產(chǎn)生什么影響�，F在，我們來(lái)看整個(gè)元件系統。 哪些部分易受EOS影響？ 一般而言，任何包含電子元件的部分都容易受到EOS影響。特別薄弱的部分是那些與外界的接口，因為它們很可能是最先接觸到靜電放電(ESD)、雷擊等的部分。我們感興趣的部件包括USB端口、示波器的模擬前端，以及最新的高性能物聯(lián)網(wǎng)混合器的充電端口等。 我們如何知道要防范哪些問(wèn)題？ 雖然我們知道我們想要保護系統免受電氣過(guò)載，但是這個(gè)術(shù)語(yǔ)太寬泛了，對于我們決定如何保護系統沒(méi)有任何幫助。為此，IEC（以及許多其他組織）做了大量工作來(lái)弄清楚我們在現實(shí)生活中可能會(huì )遇到的EOS類(lèi)型。我們將重點(diǎn)探討IEC規范，因為它們涵蓋廣泛的市場(chǎng)應用，而與該規范相關(guān)的混亂狀況也說(shuō)明需要本文來(lái)厘清。表1顯示了三個(gè)規范，它們定義了系統可能遇到的EOS狀況類(lèi)型。在本文中我們只對ESD做深入探討，同時(shí)也會(huì )讓大家熟悉電快速瞬變(EFT)和浪涌。 表1.IEC規范
圖1.8 kV時(shí)的理想接觸放電電流波形。
圖2.符合IEC61000-4-4標準的電快速瞬變4級波形。
圖3.IEC61000-4-5浪涌在8 μs/20 μs電流波形位置轉為正常狀態(tài)。 集成電路制造商沒(méi)有對芯片實(shí)施ESD保護嗎？ 問(wèn)題的答案既肯定又否定，并不那么令人滿(mǎn)意。是的，這些芯片中的保護主要用于應對制造過(guò)程中的ESD，而不是在系統通電狀態(tài)下的ESD。這一差異非常重要，因為在放大器連接電源和沒(méi)連接電源時(shí)，其在遭受靜電時(shí)的反應截然不同。例如，內部保護二極管可消除在無(wú)電源供電時(shí)對部件的靜電放電沖擊。但是，當有電源供電時(shí)，對部件的靜電放電沖擊可能會(huì )使內部結構傳導的電流超過(guò)其設計承受水平。這可能導致該部件損毀，具體由部件和電源電壓決定。 這是全球范圍內亟待解決的問(wèn)題！如何保護我的IC免受這種潛在威脅？ 我希望您能夠意識到，這個(gè)挑戰涉及很多因素，一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案是無(wú)法應用于所有情況的。下方是一個(gè)涉及因素列表，列出了決定部件能否承受EOS事件的因素。這些因素分為兩組：我們無(wú)法控制的因素和我們可以控制的因素。 無(wú)法控制的因素： ► IEC波形：ESD、EFT和浪涌的曲線(xiàn)各有不同，它們會(huì )以不同的方式攻擊器件的某些弱點(diǎn)。 ► 考慮器件的工藝技術(shù)：有些工藝技術(shù)比其他技術(shù)更容易發(fā)生閂鎖。例如，CMOS工藝容易發(fā)生閂鎖，但在許多現代工藝中，可以通過(guò)精心設計和溝槽隔離來(lái)減輕這種危害。 ► 考慮器件的內部結構：集成電路的設計方法很多，所以對一種電路有效的保護方案對另一種可能無(wú)效。例如，許多器件都有時(shí)序電路，檢測到波形足夠快時(shí)，就會(huì )啟動(dòng)保護結構。這可能意味著(zhù)，如果您在靜電放電的位置增加更多電容，那么能夠承受靜電放電沖擊的器件可能無(wú)法承受這種電容沖擊。這種結果出乎意料，但認識到以下這一點(diǎn)非常重要：常見(jiàn)的電路保護方法，即RC濾波器，可能會(huì )讓情況更糟。 可以控制的因素： ► PCB布局：部件離沖擊的位置越近，其電能波形就越高。這是因為，當沖擊波形沿某條路徑傳播時(shí)，從傳播路徑輻射出去的電磁波會(huì )有能量損耗、這是由于路徑電阻產(chǎn)生的熱量以及與周邊導體耦合的寄生電容和電感所導致。 ► 保護電路：這是對器件的生存能力最有意義的部分。上述我們無(wú)法控制的因素將會(huì )影響我們如何設計保護方案。 現在有過(guò)壓保護(OVP)和過(guò)限額(OTT)特性。我可以利用這些特性來(lái)保護電路不受高壓瞬變影響嗎？ 不能！不要這樣做。這不是個(gè)好主意。OVP和OTT特性讓部件的輸入在承受超過(guò)電源電壓的電壓時(shí)，本身不會(huì )受到損壞。依靠這些特性來(lái)保護電路不受高壓瞬變影響，就像是依靠雨靴來(lái)應對高壓沖水機一樣。雨靴只對水深不超過(guò)其高度的淺水沆有效，就像OVP和OTT只適用于比其額定值低的電壓。OVP和OTT的額定電壓比給定的供電軌電壓高幾十伏。它無(wú)法抵抗8000V的高壓。
圖4.IEC-61000-4-2測試中采用的電路。 我如何知道保護電路是否有效？ 通過(guò)結合器件知識、經(jīng)驗和測試，我們大致可以知道，系統中應該采用哪些部件最有利。為了保證器件可控，各家制造商提供了五花八門(mén)的保護組件，我只討論兩種經(jīng)證實(shí)能夠有效保護模擬前端的電路保護方案。以下方案假設采用一個(gè)緩沖配置的運算放大器。這被認為是最嚴格的保護測試，因為同相輸入會(huì )承受所有沖擊，除此以外，電能無(wú)處可去（安裝保護電路之前）。
圖5.通過(guò)在模擬輸入端配置低通濾波器實(shí)現輸入保護。 RC網(wǎng)絡(luò )保護方案
設計考量： ► R1應該是一個(gè)防脈沖（厚膜）電阻，這樣它在經(jīng)受高壓瞬變時(shí)不會(huì )輕易毀壞。 ► R1電壓噪聲與電阻值的平方根成正比，如果系統需要低噪聲，這是一個(gè)重要的考慮因素。 ► C1應該是一個(gè)陶瓷電容，其封裝尺寸至少為0805，以減小封裝的表面電弧。 ► C1至少應為X5R類(lèi)型溫度系數的電容（理想為C0G/NP0類(lèi)型），以保持可預測的電容值。 ► C1內部的等效串聯(lián)電感和電阻應盡可能低，以便有效吸收沖擊。 ► 針對給定的封裝尺寸，C1的額定電壓應盡可能高（最低100 V）。 ► 在本例中，C1的位置在R1之前，因為它構建了一個(gè)電容分壓器，其中150 pF電容（如圖5所示）將ESD波形放電到系統中，這樣在放大器經(jīng)受波形之前，能量已經(jīng)先分流。 注意：雖然這種前端保護方法并沒(méi)有得到電容制造商的認可，但在針對放大器的數百次測試中證明是有效的。ESD測試曲線(xiàn)（如下所述）僅在有限范圍的電容產(chǎn)品上進(jìn)行過(guò)測試，因此，如果使用不同的電容產(chǎn)品，需要先表征其應對沖擊的特性，例如通過(guò)測量經(jīng)受ESD沖擊之前和之后的電容和等效串聯(lián)電阻的方法，這一點(diǎn)非常重要。該電容器件應保持容值穩定，并且在被沖擊后，始終在直流下保持開(kāi)路狀態(tài)。
圖6.通過(guò)在模擬輸入端配置TVS二極管實(shí)現輸入保護。 TVS網(wǎng)絡(luò )保護方案
設計考量： ► 與RC網(wǎng)絡(luò )相同：R1應能承受脈沖，但可能需要考慮噪聲。 ► 應該指明D1需要滿(mǎn)足的標準。有些可能只涵蓋ESD，其他的則涵蓋EFT和浪涌標準。 ► D1應該是雙向的，這樣它就可以同時(shí)應對正負沖擊。 ► D1反向工作電壓應盡可能高，同時(shí)仍需通過(guò)必要的測試。如果過(guò)低，在正常的系統電壓電平下可能出現漏電流。如果過(guò)高，則可能無(wú)法在系統損壞之前做出反應。 但是我聽(tīng)說(shuō)TVS二極管經(jīng)常發(fā)生泄漏，這會(huì )降低我的性能。 在模擬電子領(lǐng)域，大家都知道TVS二極管容易發(fā)生泄漏，因此不能用于精密模擬前端。但有時(shí)情況不是這樣，許多數據手冊中的泄漏電流< 100μA，對于大多數模擬產(chǎn)品這個(gè)值是相當高的。對于這個(gè)數值，問(wèn)題在于，它是在最高溫度(150°C)和最大工作電壓下的取值。在這種情況下，二極管極易泄漏。超過(guò)85°C，所有二極管的泄漏電流會(huì )更高。只要選擇反向工作電壓更高的TVS二極管，且不期望在85°C以上實(shí)現極低漏電流，則有望獲得更低的泄漏電流。 如果您選擇了合適的TVS，泄漏電流值可能低到讓您驚訝。圖7所示為測量12個(gè)相同產(chǎn)品型號的TVS二極管時(shí)獲得的泄漏數據。
圖7.36 V雙向TVS二極管Bournes T36SC的泄漏值，在TIA中采用ADA4530評估板，帶屏蔽，在25°C時(shí)采用10 G電阻。 在測量的12個(gè)TVS二極管中，在直流偏置電壓為5 V時(shí)，最嚴重的泄漏量為7 pA。這比最壞情況下的數據表的值要好千百萬(wàn)倍。當然，不同批次的TVS二極管在泄漏方面存在差異，但這至少可以說(shuō)明預期的泄漏幅度。如果我們系統經(jīng)受的溫度不會(huì )超過(guò)85°C，TVS二極管可能是個(gè)不錯的選擇。只要記住，如果您選擇的產(chǎn)品不是本文所述的測試產(chǎn)品，請表征其泄漏特性。對一個(gè)部件或制造商而言正確的結論，對其他部件或制造商可能并不正確。 測試結果： 采用IEC ESD標準對一系列運算放大器進(jìn)行了測試。表2顯示不同保護方案分別適合保護的組件。雖然ESD標準規定在±8 kV要保證經(jīng)受三次沖擊，但所有這些方案都通過(guò)了在±9 kV時(shí)經(jīng)受100次沖擊的測試，以確保提供足夠的保護余量。 IEC標準要求，通過(guò)將兩個(gè)470 kΩ電阻與30 pF電容并聯(lián)，使ESD源的接地端與放大器的接地端連接在一起。本測試的設置則更為嚴格，它將ESD源的接地端與放大器的接地端直接相連。這些結果也在IEC接地耦合方案中得到了驗證，這可以進(jìn)一步增強產(chǎn)品的可信賴(lài)度。請記住，由于放大器的內部結構存在很大不同，對本列表中的器件適用的數據可能適用，也可能不適用于其他器件。如果使用其他器件或其他保護元件，建議對其進(jìn)行全面測試。 表2.通過(guò)IEC-61000-4-2測試的器件列表及其各自的保護配置
使用的保護元件： ► 電阻：Panasonic 0805 ERJ-P6系列 ► 電容：Yageo 0805 100 V C0G/NPO ► TVS二極管：Bourns CDSOD323-T36SC（雙向，36 V，極低漏電流，符合ESD、EFT和浪涌標準） ► ESD壓敏電阻：Bourns MLA系列，0603 26 V Bonus元件：ESD壓敏電阻 TVS二極管性能良好，可以經(jīng)受無(wú)數次沖擊。這對于EFT和浪涌保護非常不錯，但是，如果您只需要ESD保護，不妨看看ESD壓敏電阻，在達到某個(gè)電壓值之前，它們都用作高壓電阻，達到該電壓值之后，它們轉變?yōu)榈蛪弘娮�，可以分流掉壓敏電阻中的電能�? 可采用與TVS二極管相同的配置。它們的泄漏更少，成本不到TVS二極管的一半。請注意，其設計并不要求經(jīng)受數百次沖擊，且其電阻會(huì )隨著(zhù)每次沖擊下降。ESD壓敏電阻也在上述產(chǎn)品上進(jìn)行了測試，當串聯(lián)電阻值約為T(mén)VS二極管所需值的兩倍時(shí)，該壓敏電阻的性能最佳。 那么EFT和浪涌呢？ 這些產(chǎn)品只在ESD標準下進(jìn)行過(guò)測試。EFT的獨特之處在于，雖然電壓不高（4 kV及以下），其沖擊卻是爆發(fā)式（5 kHz或以上），上升時(shí)間較慢(5 ns)。浪涌每次沖擊的能量大約是EFT的1000倍，但速度只有波形的1/1000。如果還需要涵蓋這些標準，請確保在這些保護元件的數據手冊上表明，它們可以應對這個(gè)問(wèn)題。 電路保護概述 雖然看起來(lái)事后在電路中添加RC濾波器或TVS二極管并不難，但請注意，本文中提到的所有其他因素會(huì )影響系統性能和保護級別。這包括布局、前端使用的器件，以及需要滿(mǎn)足的IEC標準。如果您從開(kāi)始就謹記這一點(diǎn)，就可以避免在系統設計的最后階段可能出現需要重新設計的緊急狀況。 本文遠非全面綜述。靈敏度話(huà)題將在后續文章中進(jìn)行更深入的討論。此外，基站接收器設計的其他挑戰包括自動(dòng)增益控制(AGC)算法、信道估計和均衡算法等。我們后續還將推出一系列技術(shù)文章，目的是簡(jiǎn)化設計流程并提升大家對接收器系統的理解。 參考文獻 作者感謝國際電工委員會(huì )(IEC)允許其引用國際標準中的相關(guān)信息。所有這些摘錄內容均為IEC（瑞士日內瓦）版權所有。保留所有權利。有關(guān)IEC的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)iec.ch。IEC不對作者引用摘錄內容的位置和上下文負責，也不以任何方式對其中的其他內容或準確性負責。 IEC 61000-4-2，版本2.0 © 2008 IEC瑞士日內瓦，版權所有。www.iec.ch IEC 61000-4-4，版本3.0 © 2012 IEC瑞士日內瓦，版權所有。www.iec.ch IEC 61000-4-5，版本3.1 © 2017 IEC瑞士日內瓦，版權所有。www.iec.ch 作者簡(jiǎn)介 Tony持有加州州立大學(xué)奇科分校頒發(fā)的電氣工程學(xué)士學(xué)位，以及計算機工程、物理和數學(xué)輔修學(xué)位。他具有制造工業(yè)自動(dòng)化的相關(guān)經(jīng)驗。他任職于A(yíng)DI公司的精密放大器部門(mén)，個(gè)人興趣愛(ài)好非常廣泛。聯(lián)系方式：tony.pirc@analog.com。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
