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眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當功率級提高到3W以上時(shí)，BJT中的開(kāi)關(guān)損失可能就會(huì )成為大問(wèn)題。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結型晶體管(BJT)開(kāi)關(guān)，能夠提供比現有BJT或MOSFET開(kāi)關(guān)更高的效率。新的系列器件專(zhuān)門(mén)適用于要求滿(mǎn)足美國能源部(DoE)和歐盟行為準則(CoC)嚴格的新效率標準的充電器和適配器，幫助工程師設計出能銷(xiāo)往美國及歐洲地區且具有更大競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。 LinkSwitch-4系列恒壓/恒流初級側調節(PSR)開(kāi)關(guān)IC，采用高級自適應基極（Base）-發(fā)射極（Emitter）開(kāi)關(guān)驅動(dòng)技術(shù)，該技術(shù)還可消除與BJT相關(guān)的次級擊穿，降低對電流增益變化的敏感度，從而允許使用成本極低的BJT。自適應基極-發(fā)射極開(kāi)關(guān)驅動(dòng)技術(shù)不僅通過(guò)大幅優(yōu)化BJT開(kāi)關(guān)特性來(lái)提供設計和制造過(guò)程中BJT晶體管的選擇靈活性，而且還可極大提高基于BJT的方案的可靠性。 LinkSwitch-4開(kāi)關(guān)IC采用高級自適應基極-發(fā)射極開(kāi)關(guān)驅動(dòng)技術(shù)，得以提高效率 隨著(zhù)美國DOE-6和歐洲COC V5能效標準實(shí)施的逼近，滿(mǎn)足新標準的技術(shù)方案需求也日益迫切。DoE新標準DoE-6，是主要針對電池充電器與外部電源的節能標準，它要求在充電器USB電纜末端進(jìn)行效率合規測量。而CoC V5著(zhù)重對空載功耗、效率提出更高的要求。 LinkSwitch-4 IC集成了采用準諧振開(kāi)關(guān)策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并滿(mǎn)足 LinkSwitch-4適用于要求滿(mǎn)足美國DoE-6和歐盟CoC的新效率標準的充電器和適配器，并能夠用于1.5A和2A大電流智能手機充電器。 另外，除了智能手機，LinkSwitch-4 IC還適用于無(wú)繩電話(huà)、PDA、MP3和其他便攜式音頻設備的充電器及適配器等應用，并提供SOT-23-6和SO-8兩種封裝。 采用LinkSwitch-4 IC的10W 2A充電器設計 |
