Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門(mén)功率BJT

發(fā)布時(shí)間:2024-9-2 19:29    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 雙極結型晶體管 , BJT
滿(mǎn)足行業(yè)對采用更現代封裝的功率雙極結型晶體管的需求

Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴展,推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產(chǎn)品和十款汽車(chē)級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V,支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍,進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場(chǎng)領(lǐng)先供應商的地位。通過(guò)此次發(fā)布,Nexperia通過(guò)DFN封裝提供了其大部分的功率BJT,可滿(mǎn)足設計人員對節省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。



與有引腳的器件相比,DFN2020D-3封裝器件可顯著(zhù)節省電路板空間。例如,與SOT89相比,它將電路板空間減少了80%,與SOT223相比,它將電路板空間減少了90%。DFN2020D-3封裝還具有側邊可濕焊盤(pán),可對焊點(diǎn)進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI),從而確保提高穩健性和可靠性。

除了通用晶體管外,Nexperia還發(fā)布了一系列低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。這些器件結合了超低飽和電壓和高電流增益,有助于提高許多電源應用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越,可以取代采用更大封裝的標準晶體管,從而可以在更小的PCB上實(shí)現更緊湊的設計。有關(guān)低VCEsat技術(shù)的更多技術(shù)信息,請參閱此博客文章。

Nexperia為使用雙極結型晶體管的工程師提供BJT應用手冊,這是一本由工程師編寫(xiě)、供工程師閱讀的實(shí)用、全面且最新的參考資料。這讓設計工程師能夠更好地了解雙極晶體管、其基本原理、熱性能考量和應用見(jiàn)解。

要了解有關(guān)Nexperia雙極晶體管的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn): https://www.nexperia.com/products/bipolar-transistors

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