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在ISSCC（International Solid State Circuit Conference）國際固態(tài)電路會(huì )議上，三星的舉動(dòng)令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導體制程。當時(shí)業(yè)內人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動(dòng)平臺的處理器。 實(shí)際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動(dòng)設備芯片，而此前在工藝方面極有優(yōu)勢的英特爾卻一推再推。雖然在芯片領(lǐng)域，三星在業(yè)務(wù)方面尚未上升到高通或者英特爾的高度，但三星的芯片發(fā)展可謂神速，迎來(lái)的是對統治級競爭對手的直接挑戰。 不過(guò)，如果你認為三星首秀 10nm FinFET 工藝制程已經(jīng)夠驚艷全場(chǎng)的話(huà)，那么三星在 ISSCC 會(huì )議上的主題演講可能更令人意外。 三星：5nm 芯片對我們而言完全沒(méi)有問(wèn)題 據三星的發(fā)言，該公司還將繼續推進(jìn)至 5nm 工藝制程，因為他們認為“根本沒(méi)有困難”，而且進(jìn)一步微細化也有可能很快實(shí)現。 該韓國巨頭甚至表示，他們已經(jīng)確認開(kāi)始 3.2nm FinFET 工藝的工作，通過(guò)所謂的 EUV 遠紫外光刻技術(shù)和四次圖形曝光技術(shù)和獨家相關(guān)途徑，可以實(shí)現工藝更細微化�；旧先堑难葜v內容非常令人費解，完全沒(méi)有真正表述究竟使用何種新材料制造這些更小納米工藝的芯片。英特爾已經(jīng)表示 10nm 之后的半導體制造會(huì )更復雜，再發(fā)展下去硅原子的物理極限很難突破，不排除三星的新材料解決方案是砷化銦鎵（Indium Gallium Arsenide,InGaAs）。 讓我們回到 10nm 工藝，三星稱(chēng)下一代芯片尺寸將更微小，功耗更低。未來(lái)此工藝也將運用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上，三星不會(huì )放棄任何在移動(dòng)領(lǐng)域做儲存霸主的機會(huì )。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暫時(shí)不會(huì )有 10nm 工藝。也就是說(shuō)，首款采用 14nm 芯片的智能手機 Galaxy S6，在先進(jìn)工藝方面的優(yōu)勢可能會(huì )維持兩年。 當然，我們不排除下下一代旗艦智能手機，也就是 Galaxy S7，三星又驚人的為其搭載 10nm 工藝的處理器。 來(lái)源：weiphone |
