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可為穩壓器解決方案提供最高功率密度 英飛凌推出了OptiMOS 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。同時(shí)，英飛凌還發(fā)布了名為Power Block的新型功率模組和集成式功率模組DrMOS 5x5。加上驅動(dòng)器和數字控制器產(chǎn)品，英飛凌為服務(wù)器、電腦、數據通信和電信設備等提供了完備的系統解決方案。 在云計算、物聯(lián)網(wǎng)和社交媒體等大趨勢的推動(dòng)下，現代社會(huì )對數據處理能力的需求與日俱增。伴隨而來(lái)的，是能耗大幅增加，這繼而要求提高功率轉換系統的能效。 新近推出的OptiMOS 25V和30V產(chǎn)品重新定義了業(yè)內解決方案的性能標桿，在整個(gè)負載范圍內，其能效比上一代產(chǎn)品提高了1%左右，在典型的服務(wù)器電源設計中，其峰值效率高達95%以上。這樣的性能提升得益于諸多因素，如開(kāi)關(guān)損耗（Qswitch）比上一代的OptiMOS技術(shù)降低了50%。舉例來(lái)說(shuō)，對于一顆全年不間斷工作的130W服務(wù)器CPU而言，采用新的OptiMOS 25V，可節約用電26.3度。按一個(gè)大型機房平均擁有5萬(wàn)臺服務(wù)器計算，每年總共可以節約用電兩百六十萬(wàn)度。 全新封裝技術(shù) 在發(fā)布OptiMOS 25V和30V產(chǎn)品家族的同時(shí)，英飛凌還推出了能進(jìn)一步節省板上空間的全新封裝技術(shù)。Power Block產(chǎn)品家族和集成式功率模組DrMOS 5x5均采用了這種新型封裝技術(shù)，它的低邊MOSFET采用了源極朝下的焊接方式（跟傳統相反），可極大改善散熱性能，對比SuperSO8等標準封裝，熱阻降低了50%。 英飛凌Power Block是一種無(wú)引線(xiàn)SMD封裝，它將同步直流/直流轉換器的低邊和高邊MOSFET集成到一個(gè)外形尺寸僅為5.0x6.0平方毫米的封裝中。有了Power Block，客戶(hù)可以用一個(gè)器件替換兩個(gè)標準封裝的分立器件，如SuperSO8或SO-8。從而能夠將電源設計的尺寸縮小高達85%。小巧的封裝外形和高低邊MOSFET在封裝內的優(yōu)化互連，可最大限度地降低環(huán)路電感，從而實(shí)現最優(yōu)的系統性能。 集成式功率模組DrMOS 5x5也使用了OptiMOS 5 25V，它集成了、驅動(dòng)器和兩顆MOSFET，總占板空間僅為25平方毫米。這種集成的解決方案，可大大縮短客戶(hù)的產(chǎn)品設計周期和降低設計難度。此外，這種高度集成的功率模組具備+/-5°C的高精度溫度檢測（相比之下，外接器件的溫度檢測精確度為+/-10°C），這有助于進(jìn)一步提高系統可靠性和性能。 提供完備的系統解決方案 英飛凌科技電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示，“得益于大幅降低的開(kāi)關(guān)損耗，OptiMOS 5產(chǎn)品允許工程師提高其設計的開(kāi)關(guān)頻率，降低能耗，節省系統成本。加上我們的數字控制IC和驅動(dòng)器產(chǎn)品，我們?yōu)橹绷?直流穩壓電源設計提供了各式各樣完善的解決方案，其中，DrMOS 5x5和Power Block是設計師首選的標準封裝尺寸的最高能效產(chǎn)品�！� 樣品及供貨情況 現在已可提供采用新的OptiMOS 25V 和 30V 元件的SuperSO8、S3O8以及Power Block封裝、通態(tài)電阻從0.9mΩ到3.3mΩ的全新OptiMOS 25V和30V樣品。集成類(lèi)肖特基二極管的產(chǎn)品以及更多的30 V產(chǎn)品，將從2015年第二季度之后開(kāi)始提供樣品。DrMOS 5x5將于2015年第二季度發(fā)布。更多信息請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/optimos5-25V30V、www.infineon.com/powerblock和www.infineon.com/drmos. |
