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當前固體微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件為主，隨著(zhù)CMOS 工藝及電路設計技術(shù)的發(fā)展， 微光CMOS 圖像傳感器的性能在不斷提高，通過(guò)采用專(zhuān)項技術(shù)，微光CMOS 圖像傳感器的性能已接近EMCCD 的性能， 揭開(kāi)了CMOS 圖像傳感器在微光領(lǐng)域應用的序幕。隨著(zhù)對微光CMOS 圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠的未來(lái)，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領(lǐng)域占據重要地位。 讀出電路是微光CMOS 圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路可以處理的電信號，它的噪聲水平限制著(zhù)CMOS 圖像傳感器在微光下的應用。微光條件下像素的輸出信號十分微弱，任何過(guò)大的電路噪聲、偏移都可以將信號湮沒(méi)，因此提高讀出電路輸出信號的SNR 是微光設計的關(guān)鍵之一。本文采用的新型電容反饋跨阻放大型讀出電路CTIA電路，可以提供很低的探測器輸入阻抗和恒定的探測器偏置電壓，在從很低到很高的背景范圍內，都具有非常低的噪聲，其輸出信號的線(xiàn)性度和均勻性也很好，適合微弱信號的讀出。 1 電路設計 為完成探測器輸出電流向電壓的精確轉化，所設計的電路由CTIA 和相關(guān)雙采樣（CDS）組成，CTIA 由反向放大器和反饋積分電容構成的一種復位積分器。其增益大小由積分電容確定。圖1 為典型CTIA 電路結構。 圖1 典型CTIA 結構 當Reset 信號為高時(shí)，MOS 開(kāi)關(guān)開(kāi)通，由運算放大器的虛短特性可知，輸入端的電壓與Vref相等，此時(shí)積分電容兩端電壓相等， 都為Vref。當Reset 信號變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，MOS 開(kāi)關(guān)關(guān)斷，由于輸入端的電壓由Vref控制，因此在積分電容Cf右極板上產(chǎn)生感應電荷并慢慢積累，右極板電壓逐漸增大，積分過(guò)程開(kāi)始。最后電壓通過(guò)相關(guān)雙采樣電路讀出。 2 關(guān)鍵單元電路設計 2.1 高增益低噪聲CTIA電路 為了提高讀出電路的增益，使電路能在比較短的積分時(shí)間內，讀出PA 級的電流，電路中的積分電容要非常小。同時(shí)為了提高信噪比，在減小積分電容的同時(shí)，電路噪聲也要減小。在新型電路結構中，采用T 型網(wǎng)絡(luò )電容加nmos 開(kāi)關(guān)，電路結構如圖2 所示。 圖2 高增益低噪聲CTIA電路 由于C1和C2的作用， 使得Cf在CTIA 反饋回路中的有效值減少，其有效值為：Cfb= ( C2Cf)/(Cf +C1+C2)，這樣Cf可以取相對較大的值，避免了使用小電容，因為小電容在工藝上較難實(shí)現，且誤差較大。在本電路中，Cf=20 fF，C2=18 fF，C1=150 fF，則Cfb=2 fF。 圖3 為該電路的工作時(shí)序。 圖3 高增益低噪聲CTIA 電路工作時(shí)序 該電路可工作在高增益模式或低增益模式。在高增益模式， 當reset 為高電平時(shí)，gaIn 導通， 這時(shí)有效電容為Cf，當reset 為低電平時(shí)，gaIn 關(guān)斷， 此時(shí)的積分電容為Cf、C1和C2組成的T 型網(wǎng)絡(luò )電容， 這樣保證了電路在復位時(shí)大電容，可有效降低噪聲，積分時(shí)小電容，可大大提高增益。當gaIn 一直為高電平時(shí)，電路工作在低增益模式。 2.2 相關(guān)雙采樣 相關(guān)雙采樣電路由兩組電容和開(kāi)關(guān)組成，電路工作過(guò)程如下。首先，開(kāi)始積分，R 導通，相關(guān)雙采樣電路先讀出像素的復位信號，存儲Vreset電壓到電容Creset中。積分完成，開(kāi)關(guān)S導通，將電壓Vread儲存到電容Csig中。最后，將存儲在兩個(gè)電容之上的電壓值相減得到最終的像素輸出電壓值： Vout=Vouts -Voutr 這種結構可以很好的消除CMOS 圖像傳感器中像素的復位噪聲、1/f 噪聲以及像素內的固定模式噪聲。 3 噪聲分析 CMOS 讀出電路中包括光探測器、MOS管和電容3種元件。光探測器和MOS管是讀出電路的主要噪聲源，這些噪聲包括：一方面光探測器和MOS 管的固有噪聲；另一方面由讀出電路結構和工作方式引起的噪聲。 3.1 光探測器噪聲 復位噪聲是由復位管引入的一種隨機噪聲。當像素進(jìn)行復位時(shí)，復位管處于飽和區或亞閾值區，具體狀態(tài)取決于光電二極管的電壓值。復位管導通時(shí)可以等效為一個(gè)電阻，而電阻存在的熱噪聲將引入到復位信號形成復位噪聲。其大小與二極管的電容有關(guān)，復位噪聲電壓為 ，其中k 為波爾茲曼常數、T 為溫度，C 為二極管的等效電容。復位噪聲本質(zhì)上是一個(gè)熱噪聲，具有隨機性，只能夠減小而不能夠徹底消除。在本電路中，C=1.3 P，Vn=56 μV。 散粒噪聲是指由于電子的隨機到達而引起器件中電流的隨機波動(dòng)。因此，散粒噪聲與流過(guò)器件的電流大小相關(guān)，并且服從泊松分布。散粒噪聲與熱噪聲相區別，熱噪聲在沒(méi)有任何電壓或平均電流的條件下同樣存在，而散粒噪聲在沒(méi)有電流條件下不存在。像素的散粒噪聲與像素中的電流相關(guān)，包括光電流、暗電流。其計算公式如下： 光電流散粒噪聲與照度有關(guān)，很難消除。與暗電流有關(guān)的散粒噪聲可以通過(guò)改變摻雜濃度減小暗電流，但這會(huì )降低量子效率。在本電路中，In=100 fA，Is=20 pA，Tint=20 μs，C int =2 fF，則Vdarkn=0.28 mV，Vsn=4 mV。 3.2 讀出電路噪聲 閃爍噪聲也稱(chēng)為1/f 噪聲。在半導體材料中，晶體缺陷和雜質(zhì)的存在會(huì )產(chǎn)生陷阱， 陷阱隨機捕獲或釋放載流子形成閃爍噪聲。在讀出電路中，CTIA 放大器是閃爍噪聲的主要來(lái)源。 CTIA 讀出噪聲與輸入端電容Cin=Cpd、反饋電容Cfb，以及負載電容CL的設計均有關(guān)，其小信號噪聲模型如圖4 所示。 圖4 CTIA 放大器噪聲模型 噪聲電壓為 在本電路中，Cfb=2 fF，Cpd=1.3 pF，CL=1 pf，α=1.5，T=300 K，則Vn=2 mV。 3.3 固定模式噪聲（FPN） 之所以稱(chēng)為固定模式噪聲，是因為這種噪聲產(chǎn)生的影響不隨時(shí)間的變化而變化，即表現在每幀圖像上的誤差是一致的。像素的固定模式噪聲可以通過(guò)讀出電路中的相關(guān)雙采樣電路進(jìn)行消除。通過(guò)以上分析，在本電路中，噪聲的主要來(lái)源在于光探測器的散粒噪聲和CTIA 放大器的閃爍噪聲， 輸出總噪聲為 噪聲電壓為 其中：Av為輸出跟隨放大器增益0.7。 根據公式，理論計算噪聲電壓Vn=3.1 mV，實(shí)際電路的噪聲水平會(huì )比理論值大2 倍左右。 4 仿真與測試結果 4.1 電路版圖和仿真結果 本文所設計的電路采用CSMC 公司0.5 μm CMOS 工藝模型，對電路進(jìn)行Spectre 仿真、版圖設計和流片。 表1 是對探測器進(jìn)行的參數設置，主要依據的是相應材料制作的探測器對應測試得到的等效電阻值和等效電容值以及探測器流過(guò)的光生電流來(lái)確定的， 其中Vref是外加在放大器正相端的電壓值。 表1 仿真時(shí)單元電路參數取值 圖5 CTIA 輸出的仿真波形。 圖5 CTIA 輸出波形 從圖5 可看出，當信號電流為20 pA 時(shí)，電路輸出差分電壓為90 mV，根據噪聲電壓的估算值，最小信號的信噪比SNR=15。 4.2 測試結果 采用CSMC 公司的0.5 μm 標準CMOS 工藝庫對電路進(jìn)行流片，表2 為仿真結果和實(shí)際測試結果比較（Cf=20 fF，C1=150 fF，C2=18 fF 信號輸入20~300 pA，積分時(shí)間20 μs）。 表2 仿真結果和實(shí)際測試結果比較 從表2 可以看出，實(shí)測結果略小于仿真結果，當光信號為20 pA 時(shí)，測得電路噪聲電壓為8 mV，則SNR=10.8。 5 結論 本文設計了一種高增益低噪聲的探測器讀出電路，采用CTIA 與CDS 電路相結合，通過(guò)對CTIA 電路中積分電容的改進(jìn)，使電路在寬范圍內對微弱信號讀出，并采用開(kāi)關(guān)控制和CDS 電路來(lái)降低噪聲，使電路信噪比達到10，該電路對航空航天領(lǐng)域微光探測系統讀出電路的設計具有重要意義。 |
