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作者: Kevin Gibb 過(guò)去的一年半以來(lái)，主要NAND閃存制造商已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售1x納米等級的平面閃存；根據我們調查開(kāi)放市場(chǎng)上所銷(xiāo)售組件的供應來(lái)源，美光 (Micron)是從2014年2月開(kāi)始供應1x納米組件的第一家內存廠(chǎng)商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之 后，TechInsights實(shí)驗室才出現三星(Samsung) 16納米與東芝(Toshiba) 15納米產(chǎn)品。 針對平面NAND閃存的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻中已經(jīng)有很多討論；其替代方案是垂直堆棧式的閃存，例如三星的3D V-NAND與東芝的BiCS。業(yè)界有一個(gè)共識是平面NAND將在差不多10納米節點(diǎn)終結，也就是目前TechInsights剛完成分析的15/16納米NAND閃存的下一代或兩代。因此我們認為，現在正是來(lái)看看這些15/16納米閃存的一些工藝特征的時(shí)候。 
不同年份的美光與海力士NAND內存工藝節點(diǎn) Source：TechInsights TechInsights 這幾年來(lái)為了拆解分析報告買(mǎi)過(guò)一些NAND閃存，下圖是我們從美光與SK海力士所采購之NAND閃存的年份與工藝節點(diǎn)對照；這兩家通常是最快 推出最新工藝節點(diǎn)產(chǎn)品的記憶供貨商。半對數圖(斜線(xiàn))顯示，美光與海力士每一年的NAND工藝節點(diǎn)通常約微縮23%。
TechInsights采購過(guò)的1x納米等級NAND閃存 Source：TechInsights 工藝微縮速度在25納米節點(diǎn)以下顯著(zhù)趨緩，這可能反映了實(shí)現雙重曝光(double patterning，DP)微影與減少相鄰內存單元之間電氣干擾的困難度。DP有兩種方法：LELE (Litho-etch-litho-etch)通常運用在邏輯工藝，而利用側壁間隔(sidewall spacers)的自對準雙重曝光(self-aligned double patterning，SADP)則被內存業(yè)者所采用。 但 到目前16納米節點(diǎn)的NAND閃存組件可適用以上方法，10納米以下組件恐怕就無(wú)法適用。微縮至平面10納米工藝的NAND閃存仍然遭遇顯著(zhù) 的挑戰，這也促使廠(chǎng)商著(zhù)手開(kāi)發(fā)3D垂直NAND閃存。如上圖所示，我們也將三星的首款3D V-NAND納入，不久的將來(lái)東芝、海力士與美光也可能會(huì )推出3D NAND閃存產(chǎn)品。 雙重曝光已經(jīng)成為生產(chǎn)16納米NAND閃存的必備技術(shù)，內存制造商使用SADP以完成活性、控制閘、浮動(dòng)閘以及位線(xiàn)曝光；SADP工藝的步驟，從初始曝光經(jīng)過(guò)側壁間隔蝕刻，回到第二重曝光，如下圖所示。
自對準雙重曝光工藝 Source：Wikipedia、TechInsights 雙重曝光微影工藝通常會(huì )導致最終的側壁間隔結構之間的空間不對稱(chēng)，被視為一種AB圖案(AB patterning)，這可以從下圖美光16納米NAND閃存的淺溝槽隔離(shallow trench isolation ，STI)圖案輕易看出。
美光的16納米NAND閃存硅通道與STI Source：TechInsights 圖中可看到一條鎢(tungsten)金屬字符線(xiàn)(word line)從左至右橫過(guò)一連串與底層硅通道對齊的浮動(dòng)閘結構上方；浮動(dòng)閘與硅通道已經(jīng)采用SADP工藝一起進(jìn)行圖案化與蝕刻，STI底部與相鄰的硅通道之間，在其蝕刻深度展示了AB圖案特性，并顯示使用了SADP技術(shù)。 SK海力士在其M1x納米浮動(dòng)閘NAND閃存(于2013年IEDM會(huì )議上發(fā)表)，使用的是四重間隔曝光(quad spacer patterning)技術(shù)，如下圖所示；溝槽底部的AB圖案幾乎是不存在，而是被更隨機的圖案所取代。我們可以在三星的16納米與東芝的15納米NAND閃存看到類(lèi)似的隨機圖案，也許這意味著(zhù)他們都是使用四重間隔曝光工藝。
海力士的的16納米NAND閃存硅通道與STI Source：TechInsights 接下來(lái)的設計問(wèn)題是維持控制閘(control gate，CG)與浮動(dòng)閘(floating gate，FG)之間的高電容耦合，同時(shí)將相鄰內存單元之間的電容耦合最小化。傳統上，CG是被FG的三側所包圍，如下圖所示。層間介電質(zhì) (interpoly dielectric，IPD)提供了CG與FG之間的電容耦合，因此需要優(yōu)異的電流阻擋特性，以及高介電常數K。 下圖也可看到海力士的氧化物-氮化物-氧化物(oxide/nitride/oxide，ONO)層；IPD相當厚，減少了CG填補相鄰FG的間隙。海力士 已經(jīng)將FG側邊薄化，以提供更多空間給CG；不過(guò)要利用這種方式持續微縮NAND閃存單元間距是有限制的，因為CG得維持被FG的三側所包圍。我們也注意到海力士在硅通道之間加入了活性氣隙(active air gap)，以降低其電容耦合。
海力士的16納米閃存控制閘包裹(Wrap) Source：TechInsights 美光已經(jīng)在16納米NAND閃存避免采用包裹式(wrap-around)的CG，轉向平面式的CG與FG結構；這并非該公司第一次采用平面閘結構，我們在美光20納米NAND閃存產(chǎn)品也觀(guān)察到該種架構，如下圖所示。 美光保留了多晶硅浮動(dòng)閘，但它看起來(lái)不是很薄，這讓二氧化鉿(HfO2)/氧/ HFO2層間介電質(zhì)幾乎是平躺在浮動(dòng)閘上方，而HFO2層之間非常高的介電常數，能讓CG與FG之間產(chǎn)生足夠的電容耦合，免除了海力士、三星與東芝所采用的包裹式閘極架構。
美光的16納米閃存控制閘包裹 Source：TechInsights 字元線(xiàn)與位線(xiàn)間距的微縮，加重了相鄰內存單元之間的電容耦合；這會(huì )是一個(gè)問(wèn)題，因為一個(gè)內存單元的編程狀態(tài)可能會(huì )與相鄰內存單元電容耦合，導致記憶 體閾值電壓(threshold voltages，VT)被干擾，或是位誤讀。在相鄰字符線(xiàn)使用氣隙以降低其電容耦合已經(jīng)有多年歷史，下圖顯示的案例是東芝第一代15納米NAND快閃內存。
東芝15納米16GB NAND閃存浮動(dòng)閘氣隙 Source：TechInsights 三星16納米NAND所使用的浮動(dòng)閘氣隙如下圖所示，那些氣隙的均勻度不如東芝組件，這意味著(zhù)三星的內存單元會(huì )顯示單元與單元之間串擾的更大可變性，而且可能使得單元寫(xiě)入與抹除時(shí)間增加。
三星的16納米NAND浮動(dòng)閘氣隙 Source：TechInsights 氣隙并不限于活性基板(active substrate)與字符線(xiàn)，美光也在16納米NAND閃存采用的metal 1位線(xiàn)采用了氣隙，如下圖所示。平面NAND閃存持續微縮之機會(huì )，似乎隨著(zhù)浸潤式微影以及四重曝光可能只能達到低1x納米節點(diǎn)而受限；而氣隙已經(jīng)被廣泛使用于抑制內存單元與單元之間的干擾。
美光的16納米NAND位線(xiàn)氣隙 Source：TechInsights 三星、海力士與東芝采用的閘包裹結構可能微縮至到10納米節點(diǎn)，美光的平面浮動(dòng)閘技術(shù)則能達到次10納米節點(diǎn)。不過(guò)到最后，NAND閃存將會(huì )走向垂直化結構；在此三星是第一個(gè)于2014年夏季推出3D V-NAND產(chǎn)品的業(yè)者。 |
