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針對需要掉電時(shí)進(jìn)行高可靠性數據保存的大數據吞吐量應用 非易失性RAM解決方案簡(jiǎn)化了設計，無(wú)需電池并減少了管腳數，用于RAID存儲、工業(yè)自動(dòng)化和網(wǎng)絡(luò )應用 賽普拉斯半導體公司推出一款具有四個(gè)串行外設接口（SPI）的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）。 這一新款nvSRAM的四個(gè)SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數據吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業(yè)自動(dòng)化、計算和網(wǎng)絡(luò )應用在掉電時(shí)，無(wú)需電池即可保存大吞吐量的數據。 
四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時(shí)鐘頻率為108MHz，其性能超過(guò)了并行接口（x8 IO 寬度, 45-ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間）器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)速度，無(wú)限制的寫(xiě)次數，以及20年的數據保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個(gè)可選的集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC），未經(jīng)校準的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競爭器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。請訪(fǎng)問(wèn)如下網(wǎng)址觀(guān)看該器件的視頻：http://www.cypress.com/video-lib ... -spi-nvsram/307986. 賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標準，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無(wú)需電池即可提供可靠的非易失性數據存儲功能。掉電時(shí)，數據會(huì )自動(dòng)從SRAM傳輸到該器件的非易失性單元。供電恢復后，數據可從非易失性單元恢復到SRAM。這兩個(gè)操作也可均由軟件控制。 賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監Sonal Chandrasekhar認為：“關(guān)鍵任務(wù)系統需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數據的高性能存儲器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時(shí)保護數據安全的能力，其數據吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低�！� 賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造，可實(shí)現更高的容量、更快的訪(fǎng)問(wèn)速度和更好的性能。對RAID系統、PLC、工業(yè)數據日志、計算和網(wǎng)絡(luò )系統、電機驅動(dòng)、路由器和交換機、航空、國防系統，以及游戲系統等于需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用而言，nvSRAM是理想的選擇。 賽普拉斯是SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先者，該技術(shù)已用于其旗艦產(chǎn)品PSoC®混合信號陣列、可編程時(shí)鐘和其他產(chǎn)品中。SONOS兼容標準的CMOS技術(shù)，并有諸多優(yōu)勢，例如高耐用性、低功耗和抗輻射。SONOS技術(shù)已在賽普拉斯內部的工廠(chǎng)和多家代工廠(chǎng)中合規地采用。與其他磁基非易失性存儲技術(shù)相比，該技術(shù)在規�；涂芍圃煨苑矫嫣峁┝俗吭降慕鉀Q方案。賽普拉斯已經(jīng)發(fā)運了超過(guò)20億片采用與nvSRAM中相同SONOS工藝技術(shù)的產(chǎn)品。 供貨情況 CY14V101QS 1Mb nvSRAM目前處于樣片階段，預計于2015年三季度量產(chǎn)。 |
