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三星電子今日宣布 ,已開(kāi)始正式量產(chǎn)業(yè)界首款可應用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。 三星電子存儲芯片事業(yè)部全永鉉總裁指出：“我們面向全球市場(chǎng)推出第三代三維V-NAND閃存， 以更好性能、更節能和更高生產(chǎn)效率的最先進(jìn)存儲器解決方案，來(lái)加速SSD市場(chǎng)向高性能、高密度化方向發(fā)展�！薄巴ㄟ^(guò)充分利用三星電子在V-NAND閃存方面的獨特優(yōu)勢，我們將在企業(yè)、數據中心市場(chǎng)及消費市場(chǎng)擴展高端業(yè)務(wù)，持續加強大眾對我們SSD產(chǎn)品線(xiàn)的關(guān)注�！� 
與容量為128Gb的傳統NAND相比，三星電子此次量產(chǎn)的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實(shí)現翻倍增長(cháng)。除了在單芯片上支持存儲容量高達32Gigabytes（256Gb）之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升三星電子現有SSD的存儲容量，為T(mén)B級SSD提供理想的解決方案。 在2014年8月推出第二代32層3bit MLC V-NAND閃存之后，三星電子在本月隨即發(fā)布第三代 48層3bit MLC V-NAND閃充閃存芯片 ,并將持續引領(lǐng)3D存儲時(shí)代。 在新一代V-NAND閃存中，每個(gè)單元都采用相同的3D Charge Trap Flash(簡(jiǎn)稱(chēng)CTF)結構設計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過(guò)18億個(gè)通道孔在陣列上實(shí)現電子互連。每個(gè)芯片共包含853億個(gè)單元。單個(gè)存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數據，換句話(huà)說(shuō)，就是一個(gè)不超過(guò)手指尖大小的芯片能存儲256Gb數據。 與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當存儲相同容量的數據時(shí)，一個(gè)48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30%。在量產(chǎn)階段，相對于之前推出的32層3D V-NAND閃存而言，新型芯片可將生產(chǎn)效率提升約40%， 在繼續使用現有設備的同時(shí)，大大提升了SSD市場(chǎng)的成本競爭力。 在2015年接下來(lái)的時(shí)間內，三星電子計劃繼續生產(chǎn)第三代 V-NAND閃存，以加速推廣TB級SSD的市場(chǎng)普及率。目前三星電子正在計劃面向消費者推出2TB級甚至更高容量、更高密度的SSD，還將計劃采用業(yè)界領(lǐng)先的 PCIe（NVMe）接口和SAS接口的產(chǎn)品來(lái)提升面向企業(yè)級用戶(hù)和數據中心存儲市場(chǎng)的高密度SSD的市場(chǎng)銷(xiāo)量。 |
