砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(cháng)率超過(guò)25%

發(fā)布時(shí)間:2016-1-7 10:31    發(fā)布者:moore100
關(guān)鍵詞: 砷化鎵 , 集成電路
砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(cháng)率超過(guò)25%;


  [據C4ISR網(wǎng)站2015年12月23日報道] 盡管存在硅的競爭,但無(wú)線(xiàn)通信的需求將繼續推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。

  據美國市場(chǎng)研究和咨詢(xún)公司——信息網(wǎng)絡(luò )公司稱(chēng),強大的無(wú)線(xiàn)通信需求使砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(cháng)率超過(guò)25%。

   每個(gè)手機都包含基于砷化鎵異質(zhì)結雙極晶體管(HBT)技術(shù)的功率放大器(PA)。一個(gè)2G手機包含一個(gè)PA,而一個(gè)3G手機通常含有多達五個(gè)PA。蘋(píng)果 的4G智能手機6S包含六個(gè)PA:Avago的ACPM-7600和ACPM-8010,高通的QFE2320和QFE2340,和Skyworks的 sky85303和sky85707。

  該公司的“砷化鎵集成電路市場(chǎng)”報告稱(chēng),雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產(chǎn)品替代,繼續失去市場(chǎng)份額,但在可預見(jiàn)的未來(lái),仍將在RF技術(shù)領(lǐng)域占主導地位。

  PA的定價(jià)已經(jīng)從每個(gè)2G手機0.30美元提高到每個(gè)3G手機1.25美元,全球長(cháng)期演進(jìn)(LTE)技術(shù)中的PA為3.25美元。(工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所 張慧)

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