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大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開(kāi)三極管內部空穴和電子的運動(dòng)，還是那句話(huà)只談應用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解”讓初學(xué)者對三極管有一個(gè)形象的認識。 三極管是一個(gè)以b(基極)電流Ib 來(lái)驅動(dòng)流過(guò)CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門(mén)。 圖1 左邊細管子里藍色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門(mén)開(kāi)大，就可允許較大紅色的水流通過(guò)這個(gè)閥門(mén)。當藍色水流越大，也就使大管中紅色的水流更大。如果放大倍數是100，那么當藍色小水流為1 千克/小時(shí)，那么就允許大管子流過(guò)100千克/小時(shí)的水。三極管的原理也跟這個(gè)一樣，放大倍數為100 時(shí)，當Ib(基極電流)為1mA 時(shí)，就允許100mA 的電流通過(guò)Ice。 有了這個(gè)形象的解釋之后，我們再來(lái)看一個(gè)單片機里常用的電路。 圖2 我們來(lái)分析一下這個(gè)電路，如果它的放大倍數是100，基極電壓我們不計�；鶚O電流就是10V&pide;10K=1mA，集電極電流就應該是100mA。根據歐姆定律，這樣Rc上的電壓就是0.1A×50Ω=5V。那么剩下的5V 就吃在了三極管的C、E 極上了。好!現在我們假如讓Rb 為1K，那么基極電流就是10V&pide;1K=10mA，這樣按照放大倍數100 算，Ic 就是不是就為1000mA 也就是1A 了呢?假如真的為1安，那么Rc 上的電壓為1A×50Ω=50V。啊?50V!都超過(guò)電源電壓了，三極管都成發(fā)電機了嗎?其實(shí)不是這樣的。見(jiàn)下圖： 圖3 我們還是用水管內流水來(lái)比喻電流，當這個(gè)控制電流為10mA 時(shí)使主水管上的閥開(kāi)大到能流過(guò)1A 的電流，但是不是就能有1A 的電流流過(guò)呢?不是的，因為上面還有個(gè)電阻，它就相當于是個(gè)固定開(kāi)度的閥門(mén)，它串在這個(gè)主水管的上面，當下面那個(gè)可控制的閥開(kāi)度到大于上面那個(gè)固定電阻的開(kāi)度時(shí)，水流就不會(huì )再增大而是等于通過(guò)上面那個(gè)固定閥開(kāi)度的水流了，因此，下面的三極管再開(kāi)大開(kāi)度也沒(méi)有用了。因此我們可以計算出那個(gè)固定電阻的最大電流10V&pide;50Ω=0.2A也就是200mA。就是說(shuō)在電路中三極管基極電流增大集電極的電流也增大，當基極電流Ib 增大到2mA 時(shí)，集電極電流就增大到了200mA。當基極電流再增大時(shí)，集電極電流已不會(huì )再增大，就在200mA 不動(dòng)了。此時(shí)上面那個(gè)電阻也就是起限流作用了。 上面講的三極管是工作在放大狀態(tài)，要想作為開(kāi)關(guān)器件來(lái)應用呢?毫無(wú)疑問(wèn)三極管必須進(jìn)入飽和導通和截止狀態(tài)。圖4所示的電路中，我們從Q 的基極注入電流IB，那么將會(huì )有電流流入集電極，大小關(guān)系為：IC=βIB 。而至于BJT 發(fā)射結電壓VBE，我們說(shuō)這個(gè)并不重要，因為只要IB 存在且為正值時(shí)，這個(gè)結電壓便一定存在并且基本恒定(約0.5～1.2V，一般的管子取0.7V 左右)，也就是我們所講的發(fā)射結正偏。既然UBE 是固定的，那么，如果BJT 基極驅動(dòng)信號為電壓信號時(shí)，就必須在基極串聯(lián)一個(gè)限流電阻，如圖5。此時(shí)，基極電流為IB=(Ui-UBE)/RB。一般情況省略RB 是不允許的，因為這樣的話(huà)IB 將會(huì )變得很大，造成前級電路或者是BJT 的損壞。 圖4、圖5 接下來(lái)進(jìn)入我們最關(guān)心的問(wèn)題：RB 如何選取。前面說(shuō)到過(guò)IC=βIB，為了使晶體管進(jìn)入飽和，我們必須增加IB，從而使IC 增大，RC 上的壓降隨之增大，直到RC 上幾乎承受了所有的電源電壓。此時(shí)，UCE 變得很小，約0.2～0.3V(對于大功率BJT，這個(gè)值可能達到2～3V)，也就是我們所說(shuō)的飽和壓降UCE(sat)。如果達到飽和時(shí)，我們忽略UCE(sat)，那么就有ICRL=βIBRL=Vcc。也就是只要保證IB≥IC/β或IB≥Vcc/(βRL)時(shí)，晶體管就能進(jìn)入飽和狀態(tài)。我們看這樣一組數據：Vcc=5V，β=200，RL=100Ω。那么要求IB≥5/(200×100)A=0.25mA。如果Ui=5V，那么取RB≤(Ui-UBE)/IB≈(5-0.7)/0.25kΩ=17.2kΩ就能滿(mǎn)足要求了。但是，實(shí)際上，對于這種情況，如果取一個(gè)10kΩ以上的電阻都可能導致BJT 無(wú)法進(jìn)入飽和狀態(tài)。這是為什么呢? 因為我們的器件不是理想的，我們在來(lái)看下面一個(gè)圖。 這是我們常用的一款小信號BJT，型號為MMBT3904 的直流電壓增益曲線(xiàn)。從圖中可以看出，BJT 的共射極直流電壓增益hFE(也就是通常意義下的β)不僅是溫度的函數，而且與集電極電流有關(guān)。在一定的集電極電流范圍內，hFE 基本為常數;當集電極電流大于一定值時(shí)，hFE 將急劇下降。產(chǎn)生這一現象的機理我們在這里就不討論了。我們在使用BJT 作為開(kāi)關(guān)時(shí)，大多數情況下用于驅動(dòng)外部負載，如LED、繼電器等，這些負載的電流一般較大，此時(shí)hFE 已經(jīng)下降到遠小于我們計算時(shí)使用的那個(gè)值。如前面的例子，如果這個(gè)BJT 為MMBT3904，集電極電流達到近50mA，此時(shí)的β(或hFE)已經(jīng)下降到只要100 左右了，計算基極電阻時(shí)使用的β也應該取100 而不是200。 而實(shí)際應用中，IB 并不是越大越好，因為IB 對外電路來(lái)說(shuō)是沒(méi)有實(shí)質(zhì)作用的，它僅僅是維持BJT 可靠導通的必要條件。IB 越大，驅動(dòng)部分的損耗也就越大，從而降低了電路的效率。而且IB越大還會(huì )影響三極管的開(kāi)關(guān)速率，這個(gè)我們后面再深究。 電子元件基礎之三極管靜態(tài)工作點(diǎn) 我們都知道，三極管的工作狀態(tài)有三個(gè)，截止區，放大區，飽和區。那么三極管工作在什么工作狀態(tài)是由什么決定的呢?是由基極電流(Ib)來(lái)決定的,和其他因素完全沒(méi)有關(guān)系。 如果Ib = 0，則三極管工作在截止區。 如果0 圖1 請問(wèn)：哪個(gè)腳是S(源極)、哪個(gè)腳是G(柵極)哪個(gè)腳是D(漏極)?D和S，是N溝道還是P溝道MOS?1腳和3腳之間存在一個(gè)二極管，這個(gè)二極管有什么作用?如果接入電路，一般哪個(gè)接輸入哪個(gè)接輸出? MOS三個(gè)極怎么判斷 圖2 它們是N溝道還是P溝道 圖3 寄生二極管 在圖1我們看到D極和S極之間存在著(zhù)一個(gè)二極管，這個(gè)二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來(lái)的呢?翻開(kāi)大學(xué)里的模擬電路書(shū)里面并沒(méi)有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì )有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過(guò)這個(gè)二極管導出來(lái)，不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護MOS管的作用) 寄生二極管方向判定 圖4 MOS管的應用 開(kāi)關(guān)作用 我們筆記本主板上用得最多的電子器件便是MOS管，可見(jiàn)MOS管在低功耗方面應用得非常廣泛，MOS管都有哪些應用呢?先來(lái)看下面的原理圖 圖5 相信你從圖5可以看出MOS管在電路中的作用了吧，以上的MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現的是信號切換(高低電平的切換)，那么MOS在電路中要實(shí)現開(kāi)關(guān)作用應該滿(mǎn)足什么條件呢?還有前面提過(guò)MOS管接入電路哪個(gè)極接輸入哪個(gè)極接輸出(提示：寄生二極管是關(guān)鍵)?我們先看MOS管做開(kāi)關(guān)時(shí)在電路的接法。 圖6 想一想為什么是這樣接呢?反過(guò)來(lái)接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來(lái)說(shuō)S極做輸入D極做輸出，由于寄生二極管直接導通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用，同理PMOS管反過(guò)來(lái)接同樣失去了開(kāi)關(guān)作用。接下來(lái)談?wù)凪OS管的開(kāi)關(guān)條件，我們可以這么記，不論是P溝道還是N溝道，G極電壓都是與S極電壓做比較： N溝道： UG>US時(shí)導通。 (簡(jiǎn)單認為)UG=US時(shí)截止。 P溝道： UG 但UG比US大(或小)多少伏時(shí)MOS管才會(huì )飽和導通呢?這要看具體的MOS管，不同的MOS管要求的壓差不同。比如筆記本上用于信號切換的MOS管：N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N等。UG比US大3V---5V即可。 隔離作用 如果我們想實(shí)現線(xiàn)路上電流的單向流通，比如只讓電流由A->B，阻止由B->A，請問(wèn)該怎么做? 但這樣的做法有一個(gè)缺點(diǎn)，二極管上會(huì )產(chǎn)生一個(gè)壓降，損失一些電壓信號。而使用MOS管做隔離，在正向導通時(shí)，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。下面我們來(lái)看一個(gè)防電源反接電路。 這個(gè)電路當電源反接時(shí)NMOS管截止，保護了負載。電源正接時(shí)由于NMOS管導通壓降比較小，幾乎不損失電壓，比在電源端加保險管再在負載并聯(lián)一個(gè)二極管的方案好一些。 |
