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StudentZone— Activity: Zero-Gain Amplifier (MOS) 作者：ADI公司�。oug Mercer，顧問(wèn)研究員 Antoniu Miclaus，系統應用工程師 目標 本次活動(dòng)是對11月份學(xué)子專(zhuān)區的延續；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個(gè)角度來(lái)研究零增益放大器的性能將頗有助益。 材料 ► ADALM2000主動(dòng)學(xué)習模塊 ► 無(wú)焊面包板 ► 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值） ► 一個(gè)168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)） ► 一個(gè)小信號NMOS晶體管（增強模式CD4007或ZVN2110A） 說(shuō)明 圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。 
圖1.NMOS零增益放大器 硬件設置 面包板連接如圖2所示。任意波形發(fā)生器1輸出連接驅動(dòng)電阻R1的一端。電阻R2連接在晶體管M1的柵極和漏極之間，電阻R1的另一端也連接至柵極。M1的源極接地；所以，M1采用共源配置。
圖2.NMOS零增益放大器面包板電路 程序步驟 波形發(fā)生器1配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏置為2 V。連接示波器通道1，以顯示AWG的輸出W1。示波器通道2 (2+)的單端輸入被用于交替測量M1的柵極電壓和漏極電壓。 配置示波器以捕獲測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。啟用XY功能。 使用示波器的波形圖示例如圖3至圖5所示。
圖3.示波器VGATE的波形圖
圖4.示波器VDRAIN的波形圖
圖5.示例：比較VGATE和VDRAIN 問(wèn)題： ► 在電路設計中采用零增益放大器的主要目的是什么？ 您可以在學(xué)子專(zhuān)區博客上找到問(wèn)題答案。 作者簡(jiǎn)介 Doug Mercer于1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學(xué)院(RPI)，獲電子工程學(xué)士學(xué)位。自1977年加入ADI公司以來(lái)，他直接或間接貢獻了30多款數據轉換器產(chǎn)品，并擁有13項專(zhuān)利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年，他從全職工作轉型，并繼續以名譽(yù)研究員身份擔任ADI顧問(wèn)，為“主動(dòng)學(xué)習計劃”撰稿。2016年，他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。聯(lián)系方式：doug.mercer@analog.com。 Antoniu Miclaus現為ADI公司的系統應用工程師，從事ADI教學(xué)項目工作，同時(shí)為Circuits from the Lab®、QA自動(dòng)化和流程管理開(kāi)發(fā)嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學(xué)軟件工程碩士項目的理學(xué)碩士生，擁有克盧日-納波卡科技大學(xué)電子與電信工程學(xué)士學(xué)位。聯(lián)系方式：antoniu.miclaus@analog.com。 |
