Vishay的650V快速體二極管MOSFET可提高工業(yè)、通信和可再生能源應用中軟開(kāi)關(guān)的電壓余量

發(fā)布時(shí)間:2016-5-12 15:29    發(fā)布者:eechina
Vishay推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品,為工業(yè)、通信和可再生能源應用提供了迫切需要的電壓余量。



今天推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級結技術(shù)制造,反向恢復電荷(Qrr)比傳統MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓,有助于避免共通和熱過(guò)應力造成的失效,在零電壓切換(ZVS)/軟開(kāi)關(guān)拓撲中提高可靠性,例如移相橋、LLC轉換器和3電平逆變器。

21A SiHx21N65EF有5種封裝形式,28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有兩種封裝。這些MOSFET的導通電阻分別只有157mΩ、102mΩ和95mΩ,柵極電荷也非常低,使得器件的傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗都極低,在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統、ATX/Silver PC開(kāi)關(guān)電源、焊接設備、UPS、電池充電器、外置式電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電樁等高功率、高性能開(kāi)關(guān)應用,以及LED、高強度氣體放電(HID)和熒光燈鎮流器照明中起到節能的作用。

器件可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖,確保限值通過(guò)100% UIS測試。MOSFET符合RoHS,無(wú)鹵素。

器件規格表:
編號RDS(ON) (mW) @ 10  V (最大值)Qg (nC) ID (A)Qrr (mC) @ 封裝
@ 10 V (典型值)@ 25 °C25 °C (典型值)
SiHA21N65EF18071211.2Thin-lead TO-220  FullPAK
SiHB21N65EF18071211.2D2PAK (TO-263)
SiHG21N65EF18071211.2TO-247AC
SiHH21N65EF15768210.9PowerPAK® 8x8
SiHP21N65EF18071211.2TO-220AB
SiHG28N65EF10297281.1TO-247AC
SiHP28N65EF10297281.1TO-220AB
SiHG33N65EF95114331.18TO-247AC

新的650V EF系列MOSFET現可提供樣品,并已實(shí)現量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周到十八周。
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