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來(lái)源：北方微電子 近日，由北方微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸14納米FinFET等離子硅刻蝕機正式進(jìn)入上海集成電路研發(fā)中心（“ICRD”），與客戶(hù)共同開(kāi)展研發(fā)工作。 上海集成電路研發(fā)中心于2002年12月組建成立，2007年5月被國家發(fā)展和改革委員會(huì )等六部委核準為國家級集成電路研發(fā)中心。此次14納米高端微電子裝備的順利進(jìn)廠(chǎng)標志著(zhù)中國集成電路裝備技術(shù)取得了新的突破，也預示著(zhù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)即將邁入全新的技術(shù)時(shí)代。 14納米集成電路制造技術(shù)是目前世界最先進(jìn)的半導體工藝制造技術(shù)，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D結構工藝已成為主流技術(shù)。14納米FinFET是一種新型多柵3D晶體管，和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件具有更顯著(zhù)的功耗和性能優(yōu)勢，14nm FinFET 3D工藝引入了截然不同的工藝流程，這對其流程中的關(guān)鍵制造設備帶來(lái)了更高的挑戰。 作為中國自主開(kāi)發(fā)集成電路高端制造裝備的先行者，北方微電子NMC 612D 14nm FinFET刻蝕機以全新的設計理念來(lái)實(shí)現14nm FinFET刻蝕工藝的要求。設備采用了新開(kāi)發(fā)的同步脈沖等離子技術(shù)，通過(guò)對等離子體的實(shí)時(shí)控制和診斷來(lái)實(shí)現低損傷和高選擇比，采用多區ESC以獲得更高的CD均勻性，增加高溫上電極的設計來(lái)降低缺陷，增大Throughput，設備多項關(guān)鍵指標達到國際先進(jìn)水平。 |
