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全新的美光移動(dòng) 32GB 3D NAND 存儲技術(shù)，讓下一代移動(dòng)多媒體和傳輸體驗獲得更好的質(zhì)量、性能和可靠性 美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動(dòng)設備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場(chǎng)，這一細分市場(chǎng)大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著(zhù)移動(dòng)設備替代個(gè)人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶(hù)行為對設備的移動(dòng)內存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題，實(shí)現了無(wú)與倫比的用戶(hù)體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的攝影效果和更快的文件加載速度。 “美光不斷改進(jìn) NAND 技術(shù)，推出了適用于移動(dòng)設備的 3D NAND 和 UFS 產(chǎn)品�！泵拦饪萍家苿�(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Mike Rayfield 表示，“3D NAND 提高了性能和容量并增強了可靠性，有助于滿(mǎn)足客戶(hù)對移動(dòng)存儲不斷增長(cháng)的需求，并能實(shí)現更加卓越的終端用戶(hù)體驗�！� 為滿(mǎn)足移動(dòng)視頻和多媒體消費增長(cháng)所帶來(lái)的更高硬件需求，以及 5G 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )推出后預計出現的更高存儲需求，美光 3D NAND 技術(shù)以卓越的精度垂直堆疊了多層數據存儲單元，利用此技術(shù)制成的存儲設備容量比采用前一代平面 NAND 技術(shù)制成的設備容量高三倍。通過(guò)垂直堆疊，美光將更多的存儲單元集中到更小的芯片區域內，生產(chǎn)出業(yè)內最小的 3D NAND 存儲芯片，其面積只有 60.217mm2。更小的芯片讓極小的封裝得以實(shí)現，這可以為電池騰出更多空間，或者讓移動(dòng)設備的規格變得更小。 “3D NAND 技術(shù)對智能手機和其他移動(dòng)設備的持續發(fā)展至關(guān)重要�！盕orward Insights 的創(chuàng )始人兼首席分析師 Greg Wong 表示，“隨著(zhù) 5G 網(wǎng)絡(luò )的問(wèn)世，再加上移動(dòng)設備對我們數字生活的影響越來(lái)越大，智能手機制造商需要最先進(jìn)的技術(shù)來(lái)存儲和管理不斷增長(cháng)的數據量。美光的移動(dòng)3D NAND 技術(shù)可在高分辨率視頻、游戲和攝影方面實(shí)現更加卓越的用戶(hù)體驗，完美滿(mǎn)足市場(chǎng)上不斷發(fā)展的數據存儲需求�！� 3D NAND：為移動(dòng)領(lǐng)域的發(fā)展提供動(dòng)力 美光科技的首款移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品具備多種技術(shù)競爭優(yōu)勢。新功能包括： • 業(yè)內首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，凝聚多年的平面閃存量產(chǎn)經(jīng)驗，應用廣泛 • 美光首款采用 UFS 2.1 標準的存儲設備，讓移動(dòng)設備實(shí)現一流的順序讀取性能 • 采用基于 3D NAND 的多芯片封裝 (MCP) 技術(shù)和低功耗 LPDDR4X，比標準 LPDDR4 存儲的能效多出高達 20% • 業(yè)內最小的 3D NAND 存儲芯片，面積只有 60.217 mm2，使得存儲封裝占用的空間極小，非常適用于超小型設備；與相同容量的平面 NAND 芯片相比，美光 3D NAND 芯片的尺寸縮小多達 30%。 美光的移動(dòng) 3D NAND 解決方案現正面向移動(dòng)客戶(hù)和合作伙伴提供樣品，并將于 2016 年年底全面上市。 |
