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全新ALTUS Max E系列產(chǎn)品聚焦低氟、低應力、低電阻率的3D NAND 和 DRAM高效能解決方案 半導體制造設備及服務(wù)供應商泛林集團推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標志著(zhù)其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS 產(chǎn)品系列又添新成員。通過(guò)業(yè)內首創(chuàng )的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max E 系列能夠幫助存儲器芯片制造商應對當前所面臨的諸多關(guān)鍵挑戰，從而推動(dòng)3D NAND 及 DRAM 器件尺寸持續縮小。這一基于泛林業(yè)界領(lǐng)先的存儲器制造產(chǎn)品組合的全新系統正逐步吸引全球市場(chǎng)的關(guān)注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產(chǎn)商投入使用，并且被用于許多新技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。 泛林集團首席運營(yíng)官Tim Archer表示：“隨著(zhù)消費者對電子設備性能要求的不斷提高，我們需要容量更大、性能更佳的存儲器，而沉積和刻蝕工藝技術(shù)正是生產(chǎn)先進(jìn)存儲芯片的關(guān)鍵。此次發(fā)布的ALTUS Max E系列產(chǎn)品使進(jìn)一步擴大了我們用于存儲器制造的產(chǎn)品組合，能夠幫助客戶(hù)牢牢把握下一波行業(yè)浪潮所帶來(lái)的機遇。在過(guò)去的十二個(gè)月里，3D NAND技術(shù)取得了快速發(fā)展，而我們的相應設備交貨量也隨之翻了一番，從而使我們在3D NAND沉積和刻蝕設備市場(chǎng)占有了最大的份額�！� 由于芯片制造商不斷增加3D NAND中的存儲單元層數，對于字線(xiàn)填充應用中的鎢沉積工藝，有兩大問(wèn)題日益突顯。首先，從鎢薄膜擴散到電介質(zhì)層的氟會(huì )導致多種物理缺陷；其次，對數超過(guò) 48 的器件中積累應力較高，這將導致器件過(guò)度彎曲變形。這些缺陷和變形會(huì )影響產(chǎn)品良率，致使器件電氣性能和可靠性下降。上述問(wèn)題要求我們必須大幅降低用于3D NAND中的鎢薄膜的氟含量和內應力。此外，隨著(zhù)關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，對于 DRAM 掩埋字線(xiàn)以及邏輯元件中的金屬柵極/金屬觸點(diǎn)應用，降低電阻將變得更具挑戰。 泛林集團沉積產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Sesha Varadarajan 表示：“隨著(zhù)存儲器芯片制造商不斷邁向更小的工藝節點(diǎn)，需要填充的器件結構不斷變窄，深寬比不斷變大，結構本身也日益復雜。泛林全新的低氟鎢原子層沉積解決方案在保持鎢填充性能和生產(chǎn)效率的前提下，利用一種受控的表面反應來(lái)調節應力和氟含量，并有效降低電阻。與傳統化學(xué)氣相沉積 (CVD)的鎢填充相比，ALTUS Max E 系列產(chǎn)品工藝可使檢測到的氟減少 100 倍、內應力降低10倍、薄膜電阻率降低 30%。這將幫助我們客戶(hù)應對其當前在器件的尺寸縮小和系統集成上所面臨的最關(guān)鍵的挑戰�！� 采用 LFW ALD 技術(shù)的 ALTUS Max E 系列產(chǎn)品可提供獨特的全 ALD 沉積工藝，在生產(chǎn)中使用了超過(guò) 1000 種的不同工藝模塊，并能充分利用泛林的PNL（脈沖形核層）技術(shù)——這一技術(shù)已連續領(lǐng)先行業(yè)15年，被視作鎢原子層沉積的行業(yè)標桿。泛林憑借這一技術(shù)引領(lǐng)了化學(xué)氣相沉積鎢成核向原子層氣相沉積鎢成核的轉化，并依靠其推出的ALTUS Max with PNLxT, ALTUS Max with LRWxT, 以及ALTUS Max ExtremeFill等一系列產(chǎn)品，在提高填充性能的同時(shí)，進(jìn)一步推動(dòng)了低電阻鎢解決方案的發(fā)展，延續了泛林在這一領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。 此外，ALTUS系列產(chǎn)品使用了泛林四站模塊 (QSM) 架構，可以有效降低氟含量、應力和電阻，實(shí)現鎢成核及鎢填充的各站優(yōu)化。同時(shí)，由于站溫可獨立設置，在實(shí)現上述優(yōu)化的同時(shí)不會(huì )犧牲填充性能。通過(guò)為每個(gè)系統提供多達 12 個(gè)基座，QSM 的配置還可最大限度地提高全 ALD 工藝的生產(chǎn)效率，進(jìn)而實(shí)現當前業(yè)內最高的器件生產(chǎn)效率。 |
