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最新 Flex 系統提供業(yè)界首創(chuàng )的電介質(zhì)原子層刻蝕（ALE） 生產(chǎn)工藝并已應用于量產(chǎn) 半導體設備制造商泛林集團公司推出了基于 Flex 電介質(zhì)刻蝕系統的原子層刻蝕 (ALE) 技術(shù)，從而進(jìn)一步擴大了其旗下的ALE產(chǎn)品家族。 得益于泛林集團先進(jìn)的混合模式脈沖 (AMMP) 技術(shù)，新型 ALE 工藝可在原子層面進(jìn)行控制，以應對邏輯器件尺寸縮小至 10 nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)所面臨的關(guān)鍵挑戰。最新的 Flex 系統在業(yè)界率先使用等離子體增強的 ALE 技術(shù)進(jìn)行電介質(zhì)膜刻蝕，并已被用作邏輯器件大批量生產(chǎn)的標配設備。 泛林集團刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Vahid Vahedi 表示：“從晶體管和接觸孔的制造到金屬互聯(lián)的成形，邏輯器件制造商對精度不斷提出新要求，以滿(mǎn)足10nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)的需要。對于一些使用刻蝕工藝來(lái)幫助制造關(guān)鍵結構的器件應用，如自對準接觸孔等，傳統技術(shù)無(wú)法提供足夠精準的工藝控制，以滿(mǎn)足現階段嚴格的產(chǎn)品規格要求。我們最新的 Flex 產(chǎn)品采用電介質(zhì)原子層刻蝕，以達到原子級別的精準工藝控制，并且已經(jīng)通過(guò)量產(chǎn)驗證，能夠滿(mǎn)足客戶(hù)的關(guān)鍵需求�！� 為進(jìn)一步縮小邏輯器件尺寸，芯片制造商正采取新的集成方案，例如使用自對準接觸孔 (SAC) 來(lái)解決 RC 延遲問(wèn)題。因此，接觸孔刻蝕已成為最關(guān)鍵的工藝之一，直接影響晶片產(chǎn)品良率和晶體管性能。為了能以高保真度制造關(guān)鍵器件結構，刻蝕工藝需要選擇性超高的定向（各向異性）技術(shù)，同時(shí)還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。 泛林 Flex 電介質(zhì)刻蝕系統為下一代邏輯器件和晶圓代工生產(chǎn)提供業(yè)界最先進(jìn)的電容耦合等離子體 (CCP) 反應器，該反應器采用獨特的小體積設計，以提供可重復的結果。最新的Flex系統采用了專(zhuān)有的 AMMP 技術(shù)，可對電介質(zhì)膜，如二氧化硅 (SiO2) 進(jìn)行原子層刻蝕。與過(guò)去的電介質(zhì)刻蝕技術(shù)相比，該技術(shù)通過(guò)原子層級別的工藝控制，將選擇比提升了兩倍。 |
