泛林集團推出電介質(zhì)原子層刻蝕工藝 支持先進(jìn)邏輯器件制造

發(fā)布時(shí)間:2016-9-7 11:50    發(fā)布者:eechina
最新 Flex 系統提供業(yè)界首創(chuàng )的電介質(zhì)原子層刻蝕(ALE) 生產(chǎn)工藝并已應用于量產(chǎn)

半導體設備制造商泛林集團公司推出了基于 Flex 電介質(zhì)刻蝕系統的原子層刻蝕 (ALE) 技術(shù),從而進(jìn)一步擴大了其旗下的ALE產(chǎn)品家族。

得益于泛林集團先進(jìn)的混合模式脈沖 (AMMP) 技術(shù),新型 ALE 工藝可在原子層面進(jìn)行控制,以應對邏輯器件尺寸縮小至 10 nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)所面臨的關(guān)鍵挑戰。最新的 Flex 系統在業(yè)界率先使用等離子體增強的 ALE 技術(shù)進(jìn)行電介質(zhì)膜刻蝕,并已被用作邏輯器件大批量生產(chǎn)的標配設備。

泛林集團刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Vahid Vahedi 表示:“從晶體管和接觸孔的制造到金屬互聯(lián)的成形,邏輯器件制造商對精度不斷提出新要求,以滿(mǎn)足10nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)的需要。對于一些使用刻蝕工藝來(lái)幫助制造關(guān)鍵結構的器件應用,如自對準接觸孔等,傳統技術(shù)無(wú)法提供足夠精準的工藝控制,以滿(mǎn)足現階段嚴格的產(chǎn)品規格要求。我們最新的 Flex 產(chǎn)品采用電介質(zhì)原子層刻蝕,以達到原子級別的精準工藝控制,并且已經(jīng)通過(guò)量產(chǎn)驗證,能夠滿(mǎn)足客戶(hù)的關(guān)鍵需求!

為進(jìn)一步縮小邏輯器件尺寸,芯片制造商正采取新的集成方案,例如使用自對準接觸孔 (SAC) 來(lái)解決 RC 延遲問(wèn)題。因此,接觸孔刻蝕已成為最關(guān)鍵的工藝之一,直接影響晶片產(chǎn)品良率和晶體管性能。為了能以高保真度制造關(guān)鍵器件結構,刻蝕工藝需要選擇性超高的定向(各向異性)技術(shù),同時(shí)還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。

泛林 Flex 電介質(zhì)刻蝕系統為下一代邏輯器件和晶圓代工生產(chǎn)提供業(yè)界最先進(jìn)的電容耦合等離子體 (CCP) 反應器,該反應器采用獨特的小體積設計,以提供可重復的結果。最新的Flex系統采用了專(zhuān)有的 AMMP 技術(shù),可對電介質(zhì)膜,如二氧化硅 (SiO2) 進(jìn)行原子層刻蝕。與過(guò)去的電介質(zhì)刻蝕技術(shù)相比,該技術(shù)通過(guò)原子層級別的工藝控制,將選擇比提升了兩倍。

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