作者: 泛林集團總裁兼首席執行官 Tim Archer 在過(guò)去的十年里，對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動(dòng)半導體制造商從平面結構向越來(lái)越復雜的三維(3D)結構轉型。原因很簡(jiǎn)單，垂直堆疊可以實(shí)現更高的密度。 使用3D架構來(lái)支持先進(jìn)邏輯和存儲器應用代表了半導體行業(yè)下一個(gè)重要的技術(shù)拐點(diǎn)。非易失性存儲首先實(shí)現了這一技術(shù)拐點(diǎn)，泛林集團的刻蝕和沉積工具持續走在這一創(chuàng )新的前沿。芯片制造商正在積極努力，爭取在未來(lái)12-24個(gè)月內將邏輯器件的結構轉型到環(huán)柵(GAA) ，并將目光放在3D DRAM上。 如今，GAA已被廣泛認為是先進(jìn)邏輯器件中finFET結構的的替代品，它的設計可以支持下一代及以后世界上最強大的處理器。在這種改進(jìn)的晶體管結構中，柵極360度環(huán)繞接觸溝道，以實(shí)現持續微縮。GAA晶體管的載流能力是通過(guò)納米片或納米線(xiàn)的垂直堆疊結構、并讓柵極材料包裹通道來(lái)增加的。納米片的尺寸可以微縮，這樣晶體管的大小就可以根據所需的應用來(lái)調整。 GAA在概念上可能很簡(jiǎn)單，但如此結構的器件卻給半導體制造帶來(lái)了巨大的挑戰。有些圍繞著(zhù)結構的制造展開(kāi)，另一些則涉及到實(shí)現微縮目標所需的新材料。其中主要的挑戰在于，構建復雜的結構時(shí)，必須鋪設不同的層，并在之后的步驟中移除其中某些特定元素，比如以原子級的精度移除SiGe。 為了應對這些挑戰，我們認為早期的選擇性刻蝕方法已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足需求，需要新的工藝和能力來(lái)構建更高密度、更高和更強大的結構。選擇性一直是刻蝕工藝的重要屬性，然而，創(chuàng )建能夠驅動(dòng)未來(lái)數字技術(shù)和設備的先進(jìn)3D架構需要原子級別的超高選擇性和精確度來(lái)制造非常復雜的晶體管結構。 泛林集團不斷創(chuàng )新，助力芯片行業(yè)為實(shí)現3D架構的下一次飛躍而努力。通過(guò)與客戶(hù)密切合作，我們開(kāi)發(fā)了一套最前沿的全新選擇性刻蝕設備，可支持下一代先進(jìn)邏輯器件的開(kāi)發(fā)，不久還將用于3D DRAM等先進(jìn)存儲器應用程序的開(kāi)發(fā)。 我們很自豪能與我們的客戶(hù)攜手引領(lǐng)3D技術(shù)的拐點(diǎn)，進(jìn)而通過(guò)半導體技術(shù)的力量推動(dòng)社會(huì )向前發(fā)展，創(chuàng )造一個(gè)更智能、更互聯(lián)的世界。 |
