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美光業(yè)界首款高性能 1γ 節點(diǎn)技術(shù)，為數據中心、客戶(hù)端及移動(dòng)平臺帶來(lái)卓越的性能與能效 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節點(diǎn) DDR5 內存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM 節點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費應用到端側 AI 設備（如 AI PC、智能手機和汽車(chē)）等未來(lái)計算平臺的創(chuàng )新發(fā)展。美光 1γ DRAM 節點(diǎn)將首先應用于其 16Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品，并計劃逐步整合至美光內存產(chǎn)品組合中，以滿(mǎn)足 AI 產(chǎn)業(yè)對高性能、高能效內存解決方案日益增長(cháng)的需求。該款 16Gb DDR5 產(chǎn)品的數據傳輸速率可達 9200MT/s，與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達 15%，功耗降低超過(guò) 20%。 
1γ DRAM 節點(diǎn)的重要性 隨著(zhù) AI 在數據中心和端側設備的普及，用戶(hù)對內存的需求達到了前所未有的高度。美光邁向 1γ DRAM 節點(diǎn)，將助力客戶(hù)應對亟待解決的核心挑戰： 提升性能 — 基于 1γ 節點(diǎn)的 DRAM 性能卓越，能夠支持從數據中心到端側設備的多種內存產(chǎn)品實(shí)現計算擴展，滿(mǎn)足未來(lái) AI 工作負載的需求。 降低功耗 — 美光 1γ 節點(diǎn)采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，結合設計優(yōu)化，功耗降低了20% 以上，并實(shí)現更優(yōu)的散熱。 提升容量密度產(chǎn)出 — 美光 1γ 節點(diǎn)采用 EUV 光刻技術(shù)，通過(guò)設計優(yōu)化和制程創(chuàng )新，使單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升 30% 以上，從而實(shí)現更高效的內存供應擴展能力。 美光執行副總裁暨首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光憑借開(kāi)發(fā)專(zhuān)有 DRAM 技術(shù)的專(zhuān)長(cháng)，結合對 EUV 光刻技術(shù)的戰略運用，打造出基于 1γ 節點(diǎn)的先進(jìn)內存產(chǎn)品組合，助力推動(dòng) AI 生態(tài)系統發(fā)展。1γ DRAM 節點(diǎn)實(shí)現了更高的容量密度產(chǎn)出，彰顯了美光卓越的制造實(shí)力和效率，并使我們能夠擴大內存供應的規模，滿(mǎn)足行業(yè)日益增長(cháng)的需求�！�
美光在經(jīng)過(guò)多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略的基礎上，成功打造出優(yōu)化的 1γ 節點(diǎn)。1γ DRAM 節點(diǎn)的創(chuàng )新得益于 CMOS 技術(shù)的進(jìn)步，包括下一代高 K 金屬柵極技術(shù)，它提升了晶體管性能，實(shí)現了更高的速率、更優(yōu)化的設計以及更小的特征尺寸，從而帶來(lái)功耗降低和性能擴展的雙重優(yōu)勢。此外，通過(guò)采用 EUV 光刻技術(shù)，1γ 節點(diǎn)利用極短波長(cháng)在硅晶圓上刻畫(huà)出更精細的特征，從而獲得了業(yè)界領(lǐng)先的容量密度優(yōu)勢。同時(shí)，通過(guò)在全球各制造基地開(kāi)發(fā) 1γ 節點(diǎn)，美光可為行業(yè)提供更先進(jìn)的技術(shù)和更強的供應韌性。 美光執行副總裁暨首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光再次引領(lǐng)行業(yè)，推出全球領(lǐng)先的內存技術(shù)。1γ DRAM 制程憑借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將提供可擴展的內存解決方案，涵蓋從數據中心到端側設備等各個(gè)領(lǐng)域，助力 AI 生態(tài)系統發(fā)展，確保我們的客戶(hù)能夠應對行業(yè)日新月異的需求�！� 推動(dòng)云端至端側的產(chǎn)品變革 1γ 節點(diǎn)作為未來(lái)產(chǎn)品的基石，將被全面整合到美光的內存產(chǎn)品組合中： 數據中心 — 基于 1γ 的 DDR5 內存解決方案為數據中心提供高達 15% 的性能提升，增強能效，并支持服務(wù)器性能的持續擴展，使數據中心能夠在未來(lái)的機架級功耗和散熱設計中實(shí)現優(yōu)化。 端側 AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及帶寬，提升端側 AI 解決方案的用戶(hù)體驗。 AI PC — 1y DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗，從而延長(cháng)續航，優(yōu)化筆記本電腦的用戶(hù)體驗。 移動(dòng)設備 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 體驗，延續美光在移動(dòng)設備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 汽車(chē) — 基于 1γ 的 LPDDR5X 內存可提升容量、耐用性和性能，同時(shí)傳輸速率高達 9600MT/s。 行業(yè)引語(yǔ)： AMD 服務(wù)器平臺解決方案工程部門(mén)企業(yè)副總裁 Amit Goel 表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節點(diǎn)方面取得的進(jìn)展，并已開(kāi)展對美光 1γ DDR5 內存的驗證工作。我們致力于通過(guò)下一代 AMD EPYC（霄龍）數據中心產(chǎn)品以及全系列消費級處理器，持續推動(dòng)計算生態(tài)系統的發(fā)展，因此與美光的緊密合作至關(guān)重要�！� 英特爾內存與 IO 技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示：“美光 1γ 節點(diǎn)的進(jìn)步為英特爾服務(wù)器和 AI PC 帶來(lái)了顯著(zhù)的功耗及容量?jì)?yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續創(chuàng )新，并期待基于這些優(yōu)勢進(jìn)一步提升服務(wù)器系統的性能和 PC 的續航。英特爾正在通過(guò)其嚴格的服務(wù)器驗證流程，對美光 1γ DDR5 內存樣品進(jìn)行驗證，從而為我們的客戶(hù)提供高品質(zhì)、體驗一流的服務(wù)器系統�！� 符合條件的客戶(hù)及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技術(shù)支持計劃（TEP），提前獲取技術(shù)信息、電氣和熱模型，以及關(guān)于設計、開(kāi)發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。 |
