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大聯(lián)大旗下品佳推出英飛凌（Infineon）最新的650V TRENCHSTOP 5 IGBT，對傳統技術(shù)的一次突破，重新界定IGBT同級最佳效能。 該款器件采用TRENCHSTOP 5技術(shù)的新一代薄晶圓IGBT（絕緣柵雙極晶體管），與當前領(lǐng)先的解決方案相比，該產(chǎn)品大大降低了導通和開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率及功率密度并降低系統成本。憑借這一重大突破，英飛凌在IGBT性能方面設定了新基準，并繼續在要求持續提升效率的市場(chǎng)占據領(lǐng)先位置。 由于擊穿電壓增加到650V，該全新技術(shù)為設計帶來(lái)了更高的安全裕度。目標應用為不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、和逆變焊機等應用中常見(jiàn)的升壓PFC（AC/DC）級和高壓DC/DC拓撲。 TRENCHSTOP 5為兩個(gè)產(chǎn)品系列奠定了基礎。HighSpeed 5（H5）是易用型軟開(kāi)關(guān)高速I(mǎi)GBT，用于即插即用取代現有的IGBT，因為其可輕松融入產(chǎn)品設計之中。H ighSpeed 5 FAST（F5）是迄今為止最高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓撲的UPS逆變器的系統效率達到了98%以上。 TRENCHSTOP 5在IGBT性能方面帶來(lái)了飛躍，以更高的系統效率和更高的擊穿電壓，提升了可靠性。這會(huì )導致整個(gè)平臺的系統成本降低。對于那些要求在一個(gè)解決方案中具備所有這些特性的客戶(hù)而言，TRENCHSTOP 5是最佳選擇。全新的TRENCHSTOP 5技術(shù)為UPS應用帶來(lái)了巨大益處。與當今最好的來(lái)自英飛凌的HighSpeed（H3）相比，傳導損耗降低了超過(guò)10%，總開(kāi)關(guān)損耗降低了超過(guò)60%。效率的大幅度提升使得可實(shí)現更低的工作結溫，確保更高的壽命周期可靠性，或實(shí)現更高功率密度的設計。譬如，應用測試已經(jīng)證明采用TO-220封裝的TRENCHSTOP 5比采用TO-247封裝的H3的外殼溫度低15%。 
圖示1-大聯(lián)大品佳推出的英飛凌TRENCHSTOP 5效率測量：3 KVA H4逆變器, 20 kHz開(kāi)關(guān)頻率 其他重大改進(jìn)包括飽和電壓（Vce(sat)）正溫度系數和關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗（Eoff），確保性能在高溫操作期間不降低，并可直接進(jìn)行并聯(lián)。與H3相比降低60%的柵電荷（Qg）使得IGBT能以更低成本進(jìn)行更輕松驅動(dòng)。此外，TRENCHSTOP 5具有快速恢復續流二極管的溫度穩定正向壓降（VF），且反向恢復時(shí)間（Trr）不到50ns。低輸出電容（Coss和Eoss）帶來(lái)了杰出的輕載效率，是工作范圍主要在最大額定值40%以下的設計的理想之選。
圖示2-大聯(lián)大品佳推出的英飛凌TRENCHSTOP 5 V.S High Speed 3 F5+SiC Diode系統最高效率突破98%，而使用H5+FRD 效率相比于H3，全功率段效率提升0.2%以上；或者在維持原先的效率的基礎上提高開(kāi)關(guān)頻率，減小電感等磁性組件尺寸，從而降低系統成本。 英飛凌高能效IGBT、二極管產(chǎn)品在UPS應用推薦 1. PFC 二極管— 650V 超快恢復二極管 英飛凌的全新快速1和快速2功率硅二極管作為現有高功率600V/650V二極管的補充，填補了碳化硅二極管與發(fā)射極控制二極管之間的空白。全新極速和超高速二極管系列提供無(wú)與倫比的效率和可靠性以及超高的性?xún)r(jià)比。額外的50V確保更高的可靠性。 Rapid1 VF 1.35V，適合頻率范圍18KHz~40KHz，Rapid2 VF 1.6V，適合頻率范圍：40KHz~100KHz。 電流覆蓋范圍從8A到80A ，650V耐壓 ，型號如下：
2. TRENCHSTOP 5 IGBT
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