低導通電阻的小型20V P溝道MOSFET(飛兆)

發(fā)布時(shí)間:2009-8-20 11:09    發(fā)布者:admin
關(guān)鍵詞: MOSFET , 電阻
飛兆半導體推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設計采用飛兆半導體的專(zhuān)有PowerTrench 工藝 技術(shù),為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來(lái)業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75mΩ) ,能夠最大限度地減小傳導損耗。通過(guò)降低損耗,FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率,并延長(cháng)電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能,以保護器件免受ESD事件影響。

FDZ371PZ器件的WL-CSP封裝使用4 x 250µm無(wú)鉛焊球,具有出色的電氣和熱阻數值,安裝時(shí)的封裝高度達到0.4mm,達業(yè)界領(lǐng)先水平。
FDZ371PZ是飛兆半導體全面的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的成員,能夠滿(mǎn)足業(yè)界對于緊湊的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的開(kāi)關(guān)性能。



價(jià)格(訂購1,000個(gè),每個(gè)): 0.30美元
供貨: 現提供樣品
交貨期:8至12星期

產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從以下網(wǎng)址獲。http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ371PZ.pdf

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