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Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有訪(fǎng)問(wèn)速度快、幾乎無(wú)限次的讀寫(xiě)次數以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。該器件與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 引腳兼容，主要針對工業(yè)控制系統如機器人技術(shù)、網(wǎng)絡(luò )RAID存儲解決方案、多功能打印機、自動(dòng)導航系統，以及各種基于SRAM的系統設計。 產(chǎn)品主要特性 FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口實(shí)現存取，訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間為60ns，一個(gè)訪(fǎng)問(wèn)周期為115ns。該器件以 ‘無(wú)延遲’ (NoDelay)的特點(diǎn)按照總線(xiàn)速度進(jìn)行讀寫(xiě)操作，擦寫(xiě)壽命至少為1E14 (100萬(wàn)億) 次，并提供10年的數據保存能力。 相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM)，FM23MLD16無(wú)需電池即可進(jìn)行數據備份，性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案，FM23MLD16無(wú)需象電池備份的SRAM那樣需要與電池相關(guān)的返工步驟，而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動(dòng)能力，使F-RAM成為要求嚴苛的工業(yè)應用的理想選擇。FM23MLD16包含低電壓檢測功能，當電源電壓低于臨界閾值時(shí)，便會(huì )阻止對存儲器的訪(fǎng)問(wèn)。從而防止存儲器在這種情況下出現的不當訪(fǎng)問(wèn)，避免數據破壞。 此外，FM23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁(yè)寫(xiě)模式，能以高達33MHz的速度進(jìn)行8字節并發(fā)(Burst)讀寫(xiě)操作。FM23MLD16器件的讀/寫(xiě)工作電流為9mA，待機模式下典型電流值僅為180µA，而在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內 (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。 價(jià)格和供貨 Ramtron 現已提供FM23MLD16的樣品，采用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝，訂購1萬(wàn)片，單價(jià)為29.23美元。 |
