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第三代thinQ! SiC肖特基二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開(kāi)關(guān)頻率和輕負載條件下提升整個(gè)系統的效率，從而幫助降低電源轉換系統成本。該二極管系列提供多種封裝形式，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產(chǎn)品。 SiC肖特基二極管的主要應用領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）的有源功率因數校正（CCM PFC）和太陽(yáng)能逆變器與電機驅動(dòng)器等其他AC/DC和DC/DC電源轉換應用。 相對于第二代產(chǎn)品，全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開(kāi)關(guān)損耗。例如，工作頻率為250 kHz的1kW功率因數校正級在20%負載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開(kāi)關(guān)頻率允許使用成本更低、更小的無(wú)源組件（如電感和電容器），實(shí)現更高功率密度設計。更低的功耗也降低了對散熱器和風(fēng)扇的尺寸和數量要求，從而降低系統成本，提高可靠性。 供貨、封裝 第三代 thinQ! SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V（3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A）產(chǎn)品和采用 TO-220封裝的1200V產(chǎn)品（2A、5A、8A、10A和 15 A）。產(chǎn)品樣品于2009年1月開(kāi)始提供，預計在2009年早春開(kāi)始批量生產(chǎn)。 |
