|
飛兆半導體公司為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設計人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1 mOhm 障礙的MOSFET器件，最大RDS(ON) 僅為0.99 mOhm，能夠減少傳導損耗，提高應用的總體效率。例如，與一個(gè)使用2.0 mOhm MOSFET的典型應用相比，這款30V MOSFET便能夠以一半的FET數目，提供相同的總體RDS(ON)。 FDMS7650 采用飛兆半導體性能先進(jìn)的 PowerTrench MOSFET 技術(shù)，提供具突破性的RDS(ON) 。這項技術(shù)擁有出色的低 RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷 (QGD) ，能最大限度地減少傳導和開(kāi)關(guān)損耗，從而帶來(lái)更高的效率。 這款功率MOSFET器件是飛兆半導體眾多 MOSFET 器件之一，為功率設計提供了卓越的優(yōu)勢。這個(gè)系列的其它出色產(chǎn)品還有飛兆半導體的30V雙N溝道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600，FDMC8200通常具有24 mOhm 的高側RDS(ON) ，以及9.5 mOhm的低側RDS(ON) ，有效提高了 DC-DC 應用的效率。FDMS9600 則通過(guò)降低高側 MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗，以及低側 MOSFET的傳導損耗，為同步降壓應用提供最佳的功率級。 價(jià)格(訂購1,000個(gè)，每個(gè))： 0.95美元 供貨: 現提供樣品 交貨期：收到訂單后15周 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從以下網(wǎng)址獲�。� http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS7650.html 查詢(xún)更多信息，請聯(lián)絡(luò )飛兆半導體香港辦事處，電話(huà)：852-2722-8338；深圳辦事處，電話(huà)：0755-8246-3088；上海辦事處，電話(huà)：021-3250-7688；北京辦事處，電話(huà)：010-6408-8088 或訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)站：www.fairchildsemi.com。 |
