CVD鍺銻碲化物PCM商業(yè)化取得重大進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2010-9-15 11:31    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: PCM , 相變存儲器
ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布,雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開(kāi)發(fā)的項目獲得重大進(jìn)步,該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠實(shí)現按比例縮小,而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術(shù)。由于具有獨特的性能,相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產(chǎn)品,且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品;PCM還能擠占相當大部分先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的DRAM的市場(chǎng)。

此項研究在高長(cháng)寬比的相變存儲器單元中實(shí)現了均勻沉積,與在可比的器件結構上濺射沉積GST 225相比,顯示出了良好的電學(xué)特性。結果包括各種CVD合金的沉積,設定速度低于50納秒(ns),典型耐受時(shí)間為108到1010個(gè)周期,100°C 以上時(shí)數據保留時(shí)間為10年。最新合作研究的成果將作為同行評審的技術(shù)論文發(fā)表在九月份的《Electron Device Letters》上,重點(diǎn)介紹器件的電學(xué)性能。ATMI還將在歐洲\相變與Ovonics研討會(huì )(E/PCOS)上宣讀一篇關(guān)于化學(xué)氣相沉積工藝的論文。

“基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)仍然顯示出顯著(zhù)的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項替代性存儲器技術(shù),”ATMI的執行副總裁與微電子事業(yè)部總經(jīng)理Tod Higinbotham表示,“不過(guò),在實(shí)現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長(cháng)電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征!

兩家公司計劃向半導體產(chǎn)業(yè)授權這些技術(shù),ATMI將提供相關(guān)的前驅材料和沉積技術(shù),進(jìn)一步推動(dòng)和促進(jìn)PCM高性能存儲應用的商業(yè)化。ATMI將于2010年第四季度在300mm晶圓上展示CVD GST技術(shù)。
本文地址:http://selenalain.com/thread-26758-1-1.html     【打印本頁(yè)】

本站部分文章為轉載或網(wǎng)友發(fā)布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀(guān)點(diǎn)和對其真實(shí)性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問(wèn)題,我們將根據著(zhù)作權人的要求,第一時(shí)間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發(fā)表評論 登錄 | 立即注冊

相關(guān)視頻

關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點(diǎn)地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復 返回頂部 返回列表
午夜高清国产拍精品福利|亚洲色精品88色婷婷七月丁香|91久久精品无码一区|99久久国语露脸精品|动漫卡通亚洲综合专区48页