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垂直導電雙擴散場(chǎng)（VDMOS）效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩定性高、開(kāi)關(guān)速度快、驅動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應用在電機調速、工業(yè)控制、汽車(chē)電器等領(lǐng)域。但功率VDMOS的高壓大電流的工作條件使得其功耗及自熱效應相當明顯，而溫度的升高又必然會(huì )加速微電子器件的退化機理，對其可靠性造成嚴重影響甚至引起失效，且器件的失效必然會(huì )影響整個(gè)系統的正常工作，帶來(lái)的損失不可估量。因此對功率VDMOS進(jìn)行可靠性及失效分析顯得尤為重要，國外對功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了初步分析，國內也已經(jīng)對GaAs微波場(chǎng)效應晶體管進(jìn)行了研究，但對功率VDMOS場(chǎng)效應晶體管的可靠性研究特別是其完整的可靠性數據和失效機理的研究還比較少。本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了研究，得到較為完整的可靠性數據，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類(lèi)型器件的加工制造及應用等方面提供有價(jià)值的數據。 1 理論 電子器件在正常工作狀態(tài)下，很難在短時(shí)間內得到有價(jià)值的壽命數據。本文采用恒定應力加速壽命實(shí)驗，通過(guò)施加溫度應力，加速了元器件的參數退化，縮短了壽命，在短時(shí)間內得到必要的壽命數據。 以溫度為加速應力的恒定應力加速壽命試驗多采用Arrhenius模型。該模型的阿列尼斯經(jīng)驗公式可以反映電子元器件壽命與溫度之間的物理化學(xué)變化過(guò)程，即 式中：A為常數；k為玻爾茲曼常數；E為激活能；T為絕對溫度；t為時(shí)間。 從式（1）中可以看出，壽命的對數與絕對溫度的倒數之間滿(mǎn)足直線(xiàn)方程，因此通過(guò)施加幾組溫度應力得到元器件在這幾個(gè)溫度點(diǎn)上的壽命后，利用這一關(guān)系外推出表征元器件失效機理的激活能Ｅ和正常溫度下的元器件壽命。 若試驗中采取不同的溫度應力T1、T2，其他條件不變，要產(chǎn)生相同的退化量，所需時(shí)間分別為t1、t2，其比即為溫度加速因子τ，則 2 結溫的確定及試驗 2.1 結溫的確定 樣管在室溫（27℃）下的結殼熱阻RJC=1.7℃/W（廠(chǎng)家提供）。樣管偏置條件為VDS=7.5V、IDS＝0.8A時(shí)，其在室溫（27℃）下的殼溫TC=107℃，由式（3）可得室溫下TJ=117℃，即 式中：TJ為結溫；RJC為結殼熱阻；P為功率；Tc為殼溫。 由熱阻定義，利用室溫下的數據，可以計算得到Rc-a=13.3℃/W，因此ΔTc-a=80℃，故環(huán)境溫度為150、165、180℃時(shí)樣管殼溫分別為230、245、260℃，利用式（3）即可得到其對應結溫分別為T(mén)J150℃=240℃、TJ165℃=255℃、TJ180℃=270℃。 2.2 試驗 試驗器件為T(mén)O-3封裝的n溝道功率VDMOS場(chǎng)效應晶體管。試驗分三組進(jìn)行，每組試驗樣品數均為6只，施加溫度分別為150、165、180℃（對應結溫分別為240、255、270℃），試驗時(shí)間分別為1058、920、690h，偏置條件為VDS=7.5V、IDS=0.8A；試驗前均對VDMOS場(chǎng)應晶體管特性（導通電阻、輸出特性、轉移特性）進(jìn)行初測，測試周期為46h；失效判據為ΔIDS＞初始值20％、ΔRDS＞初始值20％、ΔIDSR＞初始值20％，以大者為準。 3 試驗結果與數據處理 3.1 參數退化 試驗測試發(fā)現功率VDMOS的導通電阻、漏源電流、截止漏電流均發(fā)生退化，其結果見(jiàn)表1～3所示。 由表1～3所示結果，可以得出IDS退化是功率VDMOS的主要失效模式，因此以IDS的退化作為失效判據。 3.2 試驗結果 失效樣管（以3＃為例）試驗前后輸出特性曲線(xiàn)對比如圖1所示，溫度應力為150℃，柵源電壓為4.2～4.8V時(shí)，試驗后（圖中細線(xiàn)）樣管漏源電流較試驗前（圖中圓點(diǎn)粗線(xiàn)）有明顯降低，說(shuō)明柵極控制能力減弱，柵極可能發(fā)生累積失效。 圖2為試驗中漏源電流IDS退化圖（3＃、7＃、15＃為例），其偏置均為VDS=10.1V、VGS=4.8V�？梢钥闯鲈谌M溫度應力作用下，漏源電流IDS均出現不同程度的下降，且隨著(zhù)應力的增大，下降幅度增加，溫度應力加速器件參數退化，與阿列尼斯方程符合較好。 本試驗的失效分布圖如圖3所示，由圖看出本試驗在三組溫度應力下，樣管的失效分布呈三條相互平行的直線(xiàn)，說(shuō)明在該試驗中樣管的失效機理是一致的，且由圖可知較高的溫度應力可以更快地加速參數退化，器件達到失效所需時(shí)間更短。此結果與恒定應力加速壽命試驗理論相符，說(shuō)明本試驗是一個(gè)比較成功的恒定應力加速壽命試驗。 3.3 數據分析 本試驗樣本容量小，故采用精度較高的“最好線(xiàn)性無(wú)偏差估計”（BLUE）法進(jìn)行數據處理。結果如下：①功率VDMOS在室溫下（結溫117℃）工作時(shí)的壽命特征值為3.67×106h；②功率VDMOS的主要失效模式是漏源電流的退化，其失效激活能E=0.54eV；③形狀參數m的加權平均值m=1.373；④加速系數τ:τ(240～117℃)≈47.9145，τ(255～117℃)≈67.8953，τ(270～117℃)≈94.3733。 4 結果分析 對三組試驗中的失效樣管進(jìn)行結之間（pin-to-pin）電特性測試（第三端開(kāi)路）。圖4、5所示分別為失效樣管（以3＃為例）與未失效樣管（以5＃為例）的柵源I-V特性及柵漏I-V特性比較。 從失效樣管的柵源I-V特性及柵漏I-V特性可以判斷其柵極出現較大漏電流，說(shuō)明柵極失去其絕緣能力，發(fā)生柵極累積失效。 由VDMOS工作原理可得，柵極發(fā)生失效時(shí)，其失去絕緣能力，因此當ｐ區反型形成溝道時(shí)，部分電子通過(guò)已擊穿的柵極形成柵極漏電流，使得形成漏源電流的電子減少，造成漏源電流IDS降低。通過(guò)上述試驗及理論分析可以確定漏源電流的下降是由柵極累積失效而引起的。進(jìn)一步的柵極失效原因正在研究中，其結果將在后續工作中給予介紹。 5 結論 對功率VDMOS在高溫環(huán)境下進(jìn)行恒定應力加速壽命試驗得到： ①室溫下工作時(shí)（結溫117℃），其壽命特征值t=3.67×106h，失效激活能E=0.54eV，這些較為完整的可靠性數據為功率VDMOS類(lèi)型器件在今后的生產(chǎn)和應用中提供參考價(jià)值。 ②恒定應力加速壽命試驗中功率VDMOS的主要失效模式是漏源電流IDS的退化，其失效機理是柵極累積失效。 |
