英飛凌科技股份公司針對現在和未來(lái)的準諧振反激式拓撲趨勢，開(kāi)發(fā)出全新的700V CoolMOS P7產(chǎn)品系列。較之目前使用的超級結工藝，這些全新MOSFET實(shí)現了前所未有的性能改進(jìn)。諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等軟開(kāi)關(guān)拓撲均能受益于此優(yōu)勢。此外，全新CoolMOS 支持針對電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開(kāi)關(guān)和高功率密度設計。此全新產(chǎn)品系列針對外形進(jìn)行了改進(jìn)，可支持纖巧型設計。
與競爭對手的產(chǎn)品相比，全新700 V CoolMOS P7可將開(kāi)關(guān)損耗（EOSS）降低27%-50%。在反激式充電器應用中，該工藝可將效率提高3.9%。此外，器件溫度可降低多達16 K。相比之前的650 V C6，全新工藝可將效率提高2.4%，并將器件溫度降低12 K。 內置齊納二極管確保ESD防護性能提高到HBM Class 2等級�？蛻�(hù)則可受益于提高的組裝成品率，而組裝成品率的提高有助于降低與生產(chǎn)相關(guān)的故障，最終節省制造成本。此外，由于具有很低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*EOSS，700V CoolMOS P7具有低損耗特點(diǎn)。相比C6工藝以及某些競爭對手的器件而言，此全新產(chǎn)品系列的阻斷電壓提高了50 V。 700V CoolMOS P7在開(kāi)發(fā)過(guò)程中一直秉持易用性設計理念，VGSth為3 V，波動(dòng)范圍僅為±0.5 V。這使得全新P7產(chǎn)品系列很容易被納入設計之中，并能使用更低的柵源電壓，從而使其更易于驅動(dòng)，并降低空載損耗。特別是在價(jià)格敏感的細分市場(chǎng)，全新700V CoolMOS P7具有誘人的性?xún)r(jià)比，有助于客戶(hù)獲得更多的競爭優(yōu)勢。 供貨情況 700V CoolMOS P7產(chǎn)品系列提供最常用的RDS(on)級別和封裝組合，RDS(on)范圍為360 -1400 mΩ，封裝包括IPAK SL、DPAK和TO-220FP等。該超級結工藝RDS(on)級別將會(huì )得到進(jìn)一步補充，并將會(huì )與英飛凌的全新封裝結合在一起。更多信息敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/700V-p7。 |
