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美高森美公司(Microsemi) 推出新系列寬帶塑封和單片微波集成電路(MMIC)器件。新產(chǎn)品擴充了不斷增長(cháng)的高性能寬帶MMIC產(chǎn)品組合，包括四個(gè)塑封低噪聲放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3；一個(gè)寬帶功率放大器(PA)芯片MMA053AA；以及兩個(gè)塑封開(kāi)關(guān)MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC產(chǎn)品已于6月6至8日在作為微波周2017的一部分的夏威夷火奴魯魯IEEE國際微波研討會(huì )(IMS2017)上展示。 新封裝的放大器包括兩個(gè)新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5)，在從DC至27GHz的更寬頻率的表現優(yōu)于競爭器件，具有17 dB的更高增益，OIP3為35 dBm。這些器件封裝在小型5mm塑料QFN封裝中，是尺寸受限應用的理想選擇。另外兩個(gè)寬帶LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供從0.5至18GHz的極低噪聲系數(NF)，典型NF低于2dB，且帶緣不超過(guò)2.5dB。 與競爭器件相比，兩個(gè)新的寬帶GaAs開(kāi)關(guān)(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了從DC至20GHz較寬頻率范圍的插入損耗和隔離特性。這些器件采用3mm塑料QFN封裝，是滿(mǎn)足尺寸受限應用高性能要求的理想選擇。這些器件僅需要最少的片外控制邏輯，可簡(jiǎn)化系統級集成。 新發(fā)布的寬帶PA芯片(MMA053AA)從DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3，超過(guò)了競爭器件的性能。憑借具有競爭力的定價(jià)，客戶(hù)可以利用所有這些器件的領(lǐng)先性能，以最小的DC功耗滿(mǎn)足苛刻系統和模塊布局要求。 美高森美射頻/微波分立產(chǎn)品事業(yè)部戰略營(yíng)銷(xiāo)總監Kevin Harrington表示：“我們推出各種新產(chǎn)品，代表美高森美在加強MMIC產(chǎn)品組合方面的重大投資，同時(shí)繼續滿(mǎn)足客戶(hù)的總體要求。我們將繼續投資并擴大尖端MMIC器件產(chǎn)品組合，我們致力于成為一家為客戶(hù)提供卓越性能MMIC產(chǎn)品，并且值得長(cháng)遠信賴(lài)的供應商�！� 美高森美的新MMIC寬帶LNA、分布式寬帶MMIC功率放大器和寬帶MMIC開(kāi)關(guān)非常適合航空航天、國防和工業(yè)市場(chǎng)的各種前端信號鏈應用，包括測試與測量、電子戰(EW)/電子對抗/電子反對抗、高線(xiàn)性微波無(wú)線(xiàn)電和無(wú)人駕駛飛行器(UAV)及其他軍事通信應用。全球市場(chǎng)研究和咨詢(xún)公司Strategy Analytics估計，到2019年，GaAs MMIC在EW、雷達和微波通信市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將達5億美元。 新MMIC器件的主要特性包括：
作為MMIC產(chǎn)品的領(lǐng)導者，美高森美不斷擴大其產(chǎn)品組合，覆蓋DC至65 GHz頻率范圍，并瞄準廣泛的應用，包括電子戰、雷達、測試和測量?jì)x器儀表，以及微波通信。這些新產(chǎn)品建立在高性能寬帶MMIC放大器、控制產(chǎn)品、預分頻器，以及相位頻率檢測器等不斷增加的產(chǎn)品組合基礎之上，伴隨進(jìn)一步加強美高森美MMIC產(chǎn)品的未來(lái)高性能產(chǎn)品開(kāi)發(fā)計劃，能夠確�？蛻�(hù)滿(mǎn)足非常專(zhuān)門(mén)和復雜的MMIC要求。 產(chǎn)品供貨 美高森美的新系列MMIC器件包括四個(gè)寬帶LNA(MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3)、一個(gè)分布式寬帶PA芯片(MMA053AA)和兩個(gè)塑封開(kāi)關(guān)(MMS006PP3和MMS008PP3)，均已提供樣品。有關(guān)更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)https://www.microsemi.com/products/mmic/mmic或聯(lián)系sales.support@microsemi.com。 | ||||||||||||||||||||||
