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全新單片微波集成電路（MMIC）和分立器件，可滿(mǎn)足5G、衛星通信和國防應用的性能要求 Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布大幅擴展其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率器件產(chǎn)品組合，推出頻率最高可達20千兆赫（GHz）的新款單片微波集成電路（MMIC）和分立晶體管。這些器件同時(shí)具備高功率附加效率（PAE）和高線(xiàn)性度，為5G、電子戰、衛星通信、商業(yè)和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的性能水平。 
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結溫下使用壽命超過(guò)100萬(wàn)小時(shí)。 這些產(chǎn)品包括覆蓋2至18 GHz、12至20 GHz、3 dB壓縮點(diǎn)（P3dB）射頻輸出功率高達20W、效率高達25%的12至20 GHz的氮化鎵MMIC；用于S和X波段、PAE高達60%的裸片和封裝氮化鎵MMIC放大器，以及覆蓋直流至14 GHz、P3dB射頻輸出功率高達100W，最大效率為70%的分立高電子遷移率晶體管（HEMT）器件。 Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“Microchip持續投入打造GaN射頻產(chǎn)品系列，以支持從微波到毫米波長(cháng)所有頻率的各種應用。我們的產(chǎn)品組合包括從低功率水平到2.2千瓦的50多種器件。今天宣布推出的產(chǎn)品跨越了2至20 GHz，旨在解決5G和其他無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )采用的高階調制技術(shù)帶來(lái)的線(xiàn)性度和效率挑戰，以及滿(mǎn)足衛星通信和國防應用的獨特需求�！� 除GaN器件外，Microchip的射頻半導體產(chǎn)品組合包括砷化鎵（GaAs）射頻放大器和模塊、低噪聲放大器、前端模塊（RFFE）、變容二極管、肖特基和PIN二極管、射頻開(kāi)關(guān)和電壓可變衰減器。此外，公司還提供高性能表面聲波（SAW）傳感器和微機電系統（MEMS）振蕩器以及高度集成的模塊。這些模塊將單片機（MCU）與射頻收發(fā)器（Wi-Fi® MCU）相結合，支持從藍牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程無(wú)線(xiàn)通信協(xié)議。 開(kāi)發(fā)工具 Microchip及其分銷(xiāo)合作伙伴均提供電路板設計支持，幫助客戶(hù)進(jìn)行設計。此外，公司還為該款全新GaN產(chǎn)品提供緊湊型模型，讓客戶(hù)能夠更容易建立性能模型，加快系統中功率放大器的設計。 供貨 今日發(fā)布的器件（包括ICP0349和ICP0349PP7）以及其他Microchip射頻產(chǎn)品均已投入量產(chǎn)。如需了解更多信息，請聯(lián)系Microchip銷(xiāo)售代表或訪(fǎng)問(wèn)Microchip網(wǎng)站。如需購買(mǎi)Microchip GaN產(chǎn)品，請聯(lián)系Microchip授權分銷(xiāo)商。 |
