恩智浦高性能射頻設計大賽正式啟動(dòng)

發(fā)布時(shí)間:2011-1-27 08:51    發(fā)布者:1770309616
恩智浦半導體(NXP)近日宣布啟動(dòng)首屆高性能射頻設計大賽注冊程序,誠邀世界各地的射頻工程師和學(xué)生提交各種射頻功率器件的應用創(chuàng )意。RF功率晶體管廣泛用于電信、航空航天、廣播基礎設施領(lǐng)域以及各種工業(yè)、科學(xué)和醫療等領(lǐng)域,而隨著(zhù)RF LDMOS技術(shù)的功能更加強大、耐受力更高、成本更低,射頻驅動(dòng)燈等新型應用也成為了可能。恩智浦高性能射頻設計大賽組委會(huì )將根據創(chuàng )新性、設計效率、實(shí)用性、原創(chuàng )性和概念驗證等指標對參賽設計進(jìn)行評選。獎品總價(jià)值達2.5萬(wàn)美元,其中包括全程免費到美國馬里蘭州巴爾的摩參加2011年MTT-S國際微波研討會(huì )的旅行機會(huì )。

       恩智浦高性能射頻設計大賽分三個(gè)階段進(jìn)行:

       o 第一階段:概念設計——2011年1月10日至2月20日  

       o 第二階段:硬件設計——2011年2月28日至4月24日  

       o 第三階段:原型設計——2011年5月2日至29日

      ·概念設計階段需要提交原始設計,包括摘要、標題和結構圖。參賽者在提交有效的參賽材料后即可收到免費的設計大賽開(kāi)發(fā)套件。       ·在硬件設計階段,每位參賽者須提出有效的原型并提供概念證明——如視頻或測試報告——以及相應的物料清單、原理圖、布線(xiàn)圖和其他設計相關(guān)材料。

      ·EMEA(歐洲、中東和非洲)、亞太和美洲地區的優(yōu)勝者將進(jìn)入最后原型設計階段。在此階段,每位參賽者有機會(huì )在各地區的恩智浦高性能射頻設計實(shí)驗室改進(jìn)其設計,而交通費和住宿費則由恩智浦承擔。

      ·前三名參賽者將獲得全程免費參加IMS2011會(huì )議的機會(huì )。特等獎獎品還包括價(jià)值3,000美元的Apple Store代金券。

      ·設計大賽社區注冊會(huì )員及恩智浦評委將對參賽設計進(jìn)行評分和投票。

      恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業(yè)務(wù)總經(jīng)理John Croteau表示:“高性能射頻技術(shù)通常用于解決最具挑戰性的工程難題,應用涵蓋衛星接收器、無(wú)線(xiàn)基站、廣播發(fā)射機到ISM、航空航天、國防等領(lǐng)域,范圍十分廣泛。恩智浦此次舉辦高性能射頻設計大賽的目的在于激發(fā)有才華的射頻工程師進(jìn)行創(chuàng )新思維,將射頻功率技術(shù)應用到各種有趣的新領(lǐng)域。換言之,希望參賽者能突破傳統、勇于嘗試,創(chuàng )造驚喜!而恩智浦則會(huì )幫助他們讓優(yōu)秀創(chuàng )意得以實(shí)現!
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