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大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開(kāi)發(fā)人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。 大聯(lián)大品佳代理的英飛凌的這款SiC MOSFET帶來(lái)的影響非常顯著(zhù)。電源轉換方案的開(kāi)關(guān)頻率可達到目前所用開(kāi)關(guān)頻率的三倍或以上。還能帶來(lái)諸多益處，如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統，從而減少運輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節能的特點(diǎn)由電源轉換設計人員來(lái)實(shí)現。這些應用的性能、效率和系統靈活性也將提升至全面層面。 這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領(lǐng)域多年的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗，基于先進(jìn)的溝槽半導體工藝，代表著(zhù)Infineon CoolSiC產(chǎn)品家族的最新發(fā)展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，4引腳封裝有一個(gè)額外的源極連接端子（Kelvin），作為門(mén)極驅動(dòng)的信號管腳，以消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗，特別是在更高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)。 另外，大聯(lián)大品佳代理的Infineon還推出基于SiC MOSFET技術(shù)的1200V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計，每種封裝的模塊均有11mΩ和23mΩ的RDS（ON）額定值選項。 
圖示1-大聯(lián)大品佳集團力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要產(chǎn)品 特色 Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用溝槽柵技術(shù)，兼具可靠性與性能優(yōu)勢，在動(dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數量級。該MOSFET完全兼容通常用于驅動(dòng)IGBT的+15 V/-5V電壓。它們將4V基準閾值額定電壓（Vth）與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來(lái)。與Si IGBT相比的關(guān)鍵優(yōu)勢包括：低溫度系數的開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值電壓的靜態(tài)特性。 這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉，此外，Infineon碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過(guò)柵極電阻調節來(lái)改變開(kāi)關(guān)速度，因此可以輕松優(yōu)化EMC性能。
圖示2-大聯(lián)大品佳集團力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的產(chǎn)品規格 應用 當前針對光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進(jìn)，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。 更多的產(chǎn)品及方案信息，請洽大聯(lián)大品佳集團技術(shù)人員：Infineon@sac.com.hk。 |
