以高速順序寫(xiě)入速度和高容量?jì)?yōu)化用戶(hù)5G時(shí)代移動(dòng)新體驗 西部數據公司發(fā)布新款嵌入式閃存盤(pán),旨在從速度和容量方面更好地優(yōu)化超高端智能手機及移動(dòng)設備的功能,豐富5G時(shí)代環(huán)境下智能手機用戶(hù)的移動(dòng)體驗。iNAND MC EU511采用公司先進(jìn)的96層3D NAND技術(shù),支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規范。性能優(yōu)越的第6代iNAND SmartSLC技術(shù)可實(shí)現高達750MB/s*的高速順序寫(xiě)入性能,僅需3.6秒就可下載一部長(cháng)達2小時(shí)的電影 。 ![]() < 西部數據iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤(pán) > 5G的標準模式可為所有的移動(dòng)和終端設備帶來(lái)快傳輸、低延遲、低功耗和高網(wǎng)絡(luò )容量等優(yōu)勢。 實(shí)現這些功能需要高速數據接口,如UFS 3.0,不僅可以改造智能手機,還可以改造數十億互聯(lián)物聯(lián)網(wǎng)( IoT )設備。 西部數據公司Devices事業(yè)部高級總監Oded Sagee表示:“智能手機正在日益成為萬(wàn)物互聯(lián)的中心。高速5G網(wǎng)絡(luò )旨在實(shí)現比之前快100倍的數據傳輸速度,并在更多的設備上部署人工智能(AI)。人工智能(AI)由集成式神經(jīng)處理單元(NPU)所驅動(dòng),允許我們訪(fǎng)問(wèn)大數據和快速數據,這將改變我們使用智能手機的方式。面對實(shí)時(shí)邊緣計算的高需求,嚴格的數據捕獲標準和訪(fǎng)問(wèn)模式將成為5G設備必須滿(mǎn)足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式閃存盤(pán),西部數據可以讓用戶(hù)按需、無(wú)縫、即時(shí)地體驗5G應用的新威力! 5G移動(dòng)設備可以借由UFS 3.0閃存接口,為增強現實(shí)(AR)、虛擬現實(shí)(VR)和移動(dòng)游戲等應用提供更高的性能和更低的延遲。此外,快速的網(wǎng)絡(luò )將使消費者能夠在移動(dòng)設備上快速下載和查看超高分辨率照片和4K/ 8K媒體資源。 通過(guò)iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤(pán)為構建5G設備做好準備 iNAND MC EU511嵌入式閃存盤(pán)憑借快于上一代產(chǎn)品接近兩倍的順序讀性能以及高達750MB/s的高速順序寫(xiě)入性能而領(lǐng)先于業(yè)界。隨著(zhù)隨機讀/寫(xiě)性能的提高以及容量從64GB到512GB的提升,iNAND MC EU511嵌入式閃存盤(pán)已為即將到來(lái)的5G革命做好了準備。目前西部數據公司正在與各OEM合作,送樣測試iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤(pán)解決方案。欲了解有關(guān)更多相關(guān)信息,請訪(fǎng)問(wèn):Western Digital。 |