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華虹半導體有限公司近日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿(mǎn)足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺作為華虹半導體0.11微米超低漏電技術(shù)的延續，以更低的功耗和成本為客戶(hù)提供具有競爭力的差異化解決方案，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設備、工業(yè)及汽車(chē)電子等方面的應用。 新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺1.5V 核心N型和P型MOS晶體管漏電達到0.2pA/μm，可有效延長(cháng)MCU設備的待機時(shí)間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP具有10萬(wàn)至50萬(wàn)次擦寫(xiě)次數、讀取速度達30ns等獨特優(yōu)勢。同時(shí)邏輯單元庫集成度高，達到400K gate/mm2以上，能夠幫助客戶(hù)多方面縮小芯片面積。 該工藝平臺的最大優(yōu)勢是集成了公司自有專(zhuān)利的分離柵NORD 嵌入式閃存技術(shù)，在90納米工藝下?lián)碛心壳皹I(yè)界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式NORflash IP，而且具有光罩層數少的優(yōu)勢，幫助客戶(hù)進(jìn)一步降低MCU、尤其是大容量MCU產(chǎn)品的制造成本。該平臺同時(shí)支持射頻（RF）、eFlash和EEPROM。 華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差異化技術(shù)的創(chuàng )新和不斷優(yōu)化，為客戶(hù)提供市場(chǎng)急需的、成本效益高的工藝和技術(shù)服務(wù)。在精進(jìn)8英寸平臺的同時(shí)，加快12英寸產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能擴充和技術(shù)研發(fā)。物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子是MCU應用的增量市場(chǎng)，此次90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出，進(jìn)一步擴大了華虹半導體MCU客戶(hù)群在超低功耗的市場(chǎng)應用領(lǐng)域的代工選擇空間�！� |
