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FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實(shí)現數據存儲，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xiě)功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫(xiě)入次數的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪(fǎng)問(wèn)（讀）次數的限制。FRAM在耐久性、讀寫(xiě)速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢： 1、壽命，讀寫(xiě)的次數比較多， EEPROM和flash都達不到EEFROM的讀寫(xiě)次數； 2、功耗，同樣寫(xiě)入64byte的數據，FRAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100，這樣功耗越低，電池的使用壽命就越長(cháng)； 3、讀寫(xiě)速度，FRAM的寫(xiě)入速度可以達到納米秒，寫(xiě)入一個(gè)數據的時(shí)間僅僅是EEPROM的1/3000。這么快的讀寫(xiě)速度帶來(lái)的另一個(gè)意想不到的好處就是瞬間斷電的時(shí)候，FRAM的數據已經(jīng)寫(xiě)入，而EEPROM肯定數據丟失。 跟FRAM比EEFROM簡(jiǎn)直就是戰五渣��！可是為什么用FRAM的客戶(hù)還是少數呢？這就要談到價(jià)格問(wèn)題了。并不是技術(shù)好的產(chǎn)品就會(huì )流行，消費者更看重性?xún)r(jià)比。FRAM的Logic部分比重太大，成本難以降低是一個(gè)難點(diǎn)。相比EEPROM，FRAM的存儲容量實(shí)在是有一點(diǎn)捉急。在工藝上，FRAM也很難突破100nm，因此大數據的存儲還是更適合留給FLASH或者EEFROM，畢竟兩者分工不同。 那么什么樣的應用更適合FRAM而非EEFROM呢？如果對存儲容量沒(méi)有太高要求，而又需要頻繁的記錄重要數據，又不希望數據在斷電中無(wú)法保護，這種應用比較適合FRAM。比如汽車(chē)中用到的黑匣子，主要記錄剎車(chē)信息以及事故前幾秒的情況�！霸谌毡�、在歐洲、在韓國如果你把發(fā)動(dòng)機關(guān)了，或者意外事故掉地上了，當前的模式、當前的狀態(tài)一定記下來(lái)，比如說(shuō)進(jìn)入隧道的時(shí)候，進(jìn)入隧道那個(gè)通信沒(méi)了，會(huì )先記錄下來(lái)。 富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
