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新IP將閃存與EEPROM元件相結合，增強數據保持能力，具備同類(lèi)最佳的運行可靠性 模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng )新。該創(chuàng )新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點(diǎn)平臺，X-FAB可為客戶(hù)提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPROM。 
通過(guò)采用獨特的方法，將閃存和EEPROM元件都置于單個(gè)宏單元內，并共享必要的控制電路。這意味著(zhù)使用更簡(jiǎn)單的布局從而減少組合元件的總體占用面積，并為支持Grade-0，175°C的32KBytes存儲解決方案設定了新的行業(yè)基準。 該嵌入式閃存為客戶(hù)帶來(lái)市場(chǎng)上最先進(jìn)的數據訪(fǎng)問(wèn)能力，能夠在整個(gè)-40°C至175°C溫度范圍內讀取數據，而EEPROM也能在高達175°C的溫度下寫(xiě)入數據。EEPROM適用于需要頻繁寫(xiě)入數據的應用，可提高閃存的耐用性與靈活性；它還可以有效地充當緩存，在工作條件不適合寫(xiě)入閃存時(shí)將數據編程至EEPROM，然后當溫度降至125°C以下時(shí)再寫(xiě)入閃存。得益于出色的穩健性、持續的數據存儲完整性和顯著(zhù)的空間節省，該IP旨在滿(mǎn)足汽車(chē)、醫療和工業(yè)應用的需求。 這款新型NVM組合IP采用64位總線(xiàn)，閃存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，這使得集成該IP所部署的器件實(shí)現零PPM誤差性能。用于輕松訪(fǎng)問(wèn)存儲器和DFT的專(zhuān)用電路可大幅縮短測試時(shí)間，并將相關(guān)成本降至最低。如有需要，X-FAB還可提供BIST模塊和測試服務(wù)。
X-FAB法國無(wú)塵室 “通過(guò)這款采用我們專(zhuān)有SONOS技術(shù)的新型NVM IP，X-FAB實(shí)現了最高水準的可靠性。這一IP將為我們客戶(hù)的嵌入式系統提供一流的數據保持能力和溫度穩定性�！盭-FAB NVM開(kāi)發(fā)總監Thomas Ramsch介紹說(shuō)，“通過(guò)將閃存和EEPROM兩種不同的NVM元件集成到單個(gè)宏單元上，我們現在可以構建一種能夠應對最嚴苛的工作情況的嵌入式數據存儲解決方案�！� “憑借更小的占用空間和更快的訪(fǎng)問(wèn)速度，我們的NVM組合IP將在高邏輯密度應用的開(kāi)發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用�！盭-FAB NVM解決方案技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Nando Basile補充道，“這將使下一代智能傳感器和執行器CPU系統設計無(wú)論是在ARM或RISC-V等成熟CPU架構上，還是在客戶(hù)的專(zhuān)有設計中具備更廣泛的功能范圍�！� 縮略語(yǔ)： BCD Bipolar-CMOS-DMOS ：雙極型晶體管-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體 NVM Non-Volatile-Memory：非易失性存儲 BIST Build-In Self-Test：內建自測試 DFT Design for Testability：可測性設計 ECC Error Checking and Correcting：錯誤檢查和糾正 EEPROM 帶電可擦可編程只讀存儲器 PPM 百萬(wàn)分率 SOI 絕緣體上硅 SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅 |
