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新一代針對數字設計占比高的車(chē)規級工藝 X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng)，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長(cháng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。 
X-FAB采用首個(gè)110納米BCD-on-SOI技術(shù)實(shí)現下一代汽車(chē)應用 通過(guò)轉移到較低的工藝節點(diǎn)，X-FAB XT011產(chǎn)品的標準單元庫密度達到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導體平臺的兩倍；對于SONOS嵌入式閃存的實(shí)現，相較于XT018，其面積也減少了35%；此外，超低導通電阻（R(ds)on）高壓N溝道器件的性能是另一個(gè)重要特性（相比XT018工藝有超過(guò)25%的改進(jìn)）。顯著(zhù)增強的熱性能意味著(zhù)可以更好地解決大電流應用的難題——這點(diǎn)通常與對Bulk BCD工藝的期望相匹配。 此種全新BCD-on-SOI技術(shù)能夠實(shí)現符合AEC-Q100 Grade 0等級的設計需求，具有高度穩健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃，還表現出較高的抗EMI能力。由于沒(méi)有寄生雙極效應，發(fā)生閂鎖的風(fēng)險完全消除，從而確保最高程度的操作可靠性。 X-FAB為XT011提供了全面的工藝設計套件（PDK）以及廣泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此，客戶(hù)將擁有實(shí)現“首次成功（first-time-right）”設計所需的所有手段，并將轉化為更短的上市時(shí)間。 XT011工藝主要針對需要更高級別數據處理能力的下一代車(chē)載應用。此外，它將為現有的工業(yè)和醫療產(chǎn)品提供通往更小幾何尺寸的路徑。 “X-FAB已經(jīng)作為BCD-on-SOI技術(shù)的首選晶圓廠(chǎng)而廣為人知；此次成為首家過(guò)渡至110納米的晶圓廠(chǎng)，進(jìn)一步突出了我們在這一領(lǐng)域無(wú)與倫比的專(zhuān)業(yè)知識�！盭-FAB的首席技術(shù)官Joerg Doblaski表示，“通過(guò)此新一代車(chē)規級工藝，我們將為客戶(hù)構建生產(chǎn)更復雜且高度集成智能模擬產(chǎn)品所需的堅實(shí)基礎�！� 采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥（Corbeil-Essonnes）工廠(chǎng)制造。量產(chǎn)將于2023年下半年啟動(dòng)。 |
