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X-FAB針對可攜式模擬應用提供180nm優(yōu)化的工藝
是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴張?
X-FAB宣布對180nm BCD-on-SOI技術(shù)平臺進(jìn)行擴展,推出用于下一代汽車(chē)應用的新型高壓器件
X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項
X-FAB投入5000多萬(wàn)美金用于MEMS運營(yíng)
X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具,將BCD-on-SOI工藝納入其中
X-FAB新一代光電二極管顯著(zhù)提升傳感靈敏度
X-FAB宣布采用Cadence EMX Solver電磁仿真技術(shù),加速創(chuàng )新通信和車(chē)用射頻設計
X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議 推出創(chuàng )新的130納米SiGe BiCMOS平臺
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能
X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車(chē)用嵌入式閃存產(chǎn)品
X-FAB基于180nm的工藝技術(shù)推出高靈敏度SPAD和APD器件
模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國產(chǎn)SiC功率器件供應商派恩杰達成長(cháng)期戰略合作,共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
X-FAB增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能
X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規則的能力
SiC晶圓代工龍頭X-FAB收購M-MOS
X-FAB推出基于其110nm車(chē)規BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數據存儲解決方案
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