模擬/混合信號代工廠(chǎng)商X-FAB Silicon Foundries今天宣布推出針對不斷增長(cháng)的48V汽車(chē)電源系統（48V board net）和電池管理系統芯片市場(chǎng)的新型高壓器件。
這些新的互補NMOS/PMOS器件基于X-FAB的XT018 BCD-on-SOI 平臺，涵蓋的電壓范圍為70V至125V，具有深溝槽隔離（DTI) 并滿(mǎn)足汽車(chē)AEC-Q100 0級標準。這些器件提供具有競爭力的導通電阻（Rdson），同時(shí)仍為Rdson、Idsat和Vth提供可靠的安全工作區域。同時(shí)采用了高效的ESD保護機制，以確保長(cháng)期運行可靠性。此外，還提供基于新高電壓等級的N-channel耗盡型晶體管。這些將能實(shí)現簡(jiǎn)單，節約芯片面積的啟動(dòng)電路和穩壓器。 世界領(lǐng)先的汽車(chē)制造商越來(lái)越多采用48V子系統以提高燃油效率和減少二氧化碳排放。輕度混合動(dòng)力汽車(chē)率先采用48V額定電壓組件，最初主要集中在許多核心部件，如啟動(dòng)器/發(fā)電機、DC-DC轉換器和電池管理子系統，以及水泵和冷卻風(fēng)扇等高電流功能。 與此同時(shí)，快速增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)和儲能用鋰離子電池市場(chǎng)正轉向更高電壓的電池組。 XT018 BCD-on-SOI平臺現在可提供高達200V的更為靈活度電壓，以支持使用單個(gè)BMS 芯片監控的越來(lái)越多的電池單元。 與傳統的BCD技術(shù)相比，SOI上的BCD在許多方面都具有優(yōu)越性，使其對設計師具有吸引力。這些重要優(yōu)勢包括防閂鎖電路 (latch-up free circuits）、高EMC性能（由于采用埋氧化物/DTI完全隔離）和能夠簡(jiǎn)單的處理負電壓瞬變（below ground transients）。此外，大幅度減小芯片尺寸，提高一次流片率(first-time-right)，可以加快開(kāi)發(fā)周期, 并降低每個(gè)芯片的成本。 X-FAB首席執行官Rudi De Winter表示：“作為首屈一指的高壓SOI代工廠(chǎng)，X-FAB現在比以往更有能力支持汽車(chē)的電動(dòng)化趨勢。在廣受歡迎的XT018平臺的擴展進(jìn)一步加強了我們客戶(hù)在混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的產(chǎn)品能力。通過(guò)這種擴展，再加上我們的碳化硅(SiC)和高壓電隔離工藝(Galvanic Isolator)，X-FAB將能夠為客戶(hù)提供一系列重要的構建模塊，有助于加速社會(huì )加速走向更環(huán)保的交通運輸方式�！� |
