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高度優(yōu)化的解決方案實(shí)現主要小型化目標，且不受生產(chǎn)批量的局限 模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng )新進(jìn)行交流。 
X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構 XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶(hù)能夠在其器件設計中直接集成無(wú)源元件（電感器、電容器和電阻器），從而顯著(zhù)節省空間及成本。借助公司在銅金屬化技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗，相關(guān)生產(chǎn)制造將在X-FAB位于法國科爾貝—埃索訥（Corbeil-Essonnes）的工廠(chǎng)進(jìn)行。 5G蜂窩基礎設施的不斷推出、6G通信的發(fā)展，以及最新一代雷達和衛星通信技術(shù)的涌現，均需要能夠支持更寬頻率的器件�；赬IPD平臺，可制造出具有更高性能特征的全集成高質(zhì)量無(wú)源元件，從而滿(mǎn)足對更緊湊RF/EMI濾波器、匹配網(wǎng)絡(luò )、平衡器和耦合器的需求。 由于使用表面貼裝或分立無(wú)源元件可能會(huì )因元件在高頻率下的偏差或元件采購復雜性的增加而帶來(lái)不便，XIPD提供了一種更為有效的途徑，可簡(jiǎn)化整體系統設計、加快開(kāi)發(fā)周期、簡(jiǎn)化制造過(guò)程，并降低相關(guān)工程費用，還可以適應從sub—6GHz頻段一直到毫米波高頻段的廣泛頻率范圍。 X-FAB技術(shù)的獨特之處在于可為任何批量的集成無(wú)源器件制造提供代工服務(wù)。我們推出全面的工藝設計套件（PDK），同時(shí)支持Cadence和Keysight ADS設計環(huán)境，使客戶(hù)能夠進(jìn)行完整RF子系統的精確仿真，并獲得首次成功（first-time-right）設計。目前，與幾家主要客戶(hù)的初步原型設計現已啟動(dòng)。 “雖然RF半導體器件不斷縮小，但與之配套的無(wú)源元件仍相對較大。兩者間的這種不匹配占用了過(guò)多的電路板面積，不符合對更時(shí)尚電子設備的需求�！盭-FAB首席執行官Rudi De Winter指出，“通過(guò)采用我們的XIPD技術(shù)，不僅可以節省多個(gè)數量級的空間，還可以降低相關(guān)成本。這對于我們的客戶(hù)群而言，有可能真正改變行業(yè)的游戲規則，允許有源和無(wú)源芯片共同封裝，同時(shí)實(shí)現高產(chǎn)量�！� X-FAB射頻技術(shù)總監Greg U'Ren補充說(shuō)：“此外，目前基于聲學(xué)技術(shù)的濾波解決方案無(wú)法實(shí)現毫米波頻率工作，難以滿(mǎn)足下一代通信標準的要求。我們的XIPD解決方案使客戶(hù)能夠實(shí)現緊湊的RF系統設計，并通過(guò)完全集成的硬件最大限度地減少損耗，從而為市場(chǎng)創(chuàng )造價(jià)值。我們已經(jīng)在開(kāi)展70—80GHz頻段的工作項目，而使用分立式無(wú)源方案是無(wú)法想象的�！� |
| SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅動(dòng)以及柵極驅動(dòng)器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc |
