模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng )新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進(jìn)一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(cháng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場(chǎng)的客戶(hù)群體。
130納米SiGe BiCMOS平臺 新創(chuàng )建的130納米平臺顯著(zhù)加強了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨特的解決方案，達到滿(mǎn)足下一代通信要求所需的更高性能參數。受益于這項技術(shù)的領(lǐng)域包括Wi-Fi 6（和未來(lái)的Wi-Fi 7）接入點(diǎn)，以及下一代蜂窩基礎設施（特別是5G 毫米波與新興6G標準）和車(chē)對車(chē)（V2V）通信；該技術(shù)還將在+100GHz雷達系統的開(kāi)發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，適用于汽車(chē)和消費類(lèi)應用。 這項許可協(xié)議延續了2021年啟動(dòng)的合作，當時(shí)X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術(shù)中，以提高可支持的帶寬數據。關(guān)于這一創(chuàng )新的SiGe平臺，X-FAB將于2022年第四季度開(kāi)始與選定的早期合作廠(chǎng)商開(kāi)展原型開(kāi)發(fā)項目。早期準入的PDK可實(shí)現原型設計，而量產(chǎn)將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠(chǎng)進(jìn)行。 IHP科學(xué)總監Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺，將為客戶(hù)打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術(shù)，這肯定會(huì )帶來(lái)切實(shí)的性能優(yōu)勢。我們雙方之間的技術(shù)轉讓?zhuān)殉蔀楣I(yè)與研究機構攜手取得卓越成果的完美范例�！� “X-FAB和IHP在融合我們各自?xún)?yōu)勢資源開(kāi)發(fā)前沿半導體解決方案領(lǐng)域擁有杰出的成績(jì)；雙方針對SiGe技術(shù)的最新協(xié)議將這一實(shí)踐帶入令人興奮的全新階段�！盭-FAB RF技術(shù)總監Greg U'Ren博士表示，“這是雙方進(jìn)一步推進(jìn)SiGe BiCMOS相關(guān)創(chuàng )新的起點(diǎn)，涵蓋了工業(yè)自動(dòng)化、消費電子和車(chē)載等使用案例，將推動(dòng)在未來(lái)幾年內對通信領(lǐng)域的重新定義�！� |
